[实用新型]一种阵列基板及有机电致发光显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，以及形成于衬底 同一侧上的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层与第二介 质层的折射率之比为0.4-0.6，其中第一介质层比第二介质层更靠 近出光面。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列 基板为底发光型有机电致发光显示装置的阵列基板，所述第一介 质层与衬底相邻设置，所述第二介质层设于第一介质层远离衬底 的一侧。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一 介质层的厚度为人眼敏感波长的1/4；所述第二介质层的厚度为人 眼敏感波长的1/4。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述人眼 敏感波长为550nm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一 介质层由氧化硅、氟化锂、氟化镁或氧化镁中的任意一种构成。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二 介质层由氮化硅、硫化镉、二氧化铈、氢氧化铪、五氧化二铌、 氯化铅或三硫化二锑中的任意一种构成。

7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列 基板为底发光型有机电致发光显示装置的阵列基板，所述阵列基 板还包括栅线和数据线，所述栅线靠近衬底的一侧设有第一吸光 层，所述数据线靠近衬底的一侧设有第二吸光层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一 吸光层由金属氮氧化物构成；所述第二吸光层由金属氮氧化物构 成。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一 吸光层的厚度为10nm-100nm；所述第二吸光层的厚度为 10nm-100nm。

10.一种底发光型有机电致发光显示装置，包括阵列基板和 发光层，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-9任一项所述 的阵列基板。