[实用新型]一种半导体气体激光器有效
申请号: | 201620020935.0 | 申请日: | 2016-01-12 |
公开(公告)号: | CN205335618U | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 重庆三零三科技有限公司 |
主分类号: | H01S3/223 | 分类号: | H01S3/223;H01S3/034;H01S3/03 |
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地址: | 402560 重庆市铜梁*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 气体 激光器 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体气体激光器。
背景技术
二氧化碳激光器中,主要的工作物质由二氧化碳,氮气,氦气三种气体组成。其中二氧化碳是产生激光辐射的气体、氮气及氦气为辅助性气体。加入其中的氦,可以加速010能级热弛预过程,因此有利于激光能级100及020的抽空。氮气加入主要在二氧化碳激光器中起能量传递作用,为二氧化碳激光上能级粒子数的积累与大功率高效率的激光输出起到强有力的作用。二氧化碳分子激光跃迁能级图二氧化碳激光器的激发条件:放电管中,通常输入几十mA或几百mA的直流电流。放电时,放电管中的混合气体内的氮分子由于受到电子的撞击而被激发起来。这时受到激发的氮分子便和二氧化碳分子发生碰撞,氮气分子把自己的能量传递给二氧化碳分子,二氧化碳分子从低能级跃迁到高能级上形成粒子数反转发出激光。
目前,半导体激光器技术已趋于完善,但仍然存在以下问题:结构复杂、灵敏度低、性能不稳定、抗干扰能力弱等问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单,具有较好的方向性、单色性和较好的频率稳定性,发射功率大、抗干扰能力强的半导体激光器。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种半导体气体激光器,包括壳体、设置在壳体内的放电管以及设置在壳体两端的阳极端、阴极端,所述放电管分别与阳极端、阴极端连接,所述放电管上侧设置有第一反射镜、第二反射镜、全反射镜以及储气管,所述储气管与回气管连通,所述放电管下侧设置有冷水管,所述冷水管上设置有进水口、出水口。
所述第一反射镜将红外光发射给第二反射镜,所述第二反射镜反射放电,放电管中的混合气体内的氮分子由于受到电子的撞击而被激发起来。这时受到激发的氮分子便和二氧化碳分子发生碰撞,氮气分子把自己的能量传递给二氧化碳分子,二氧化碳分子从低能级跃迁到高能级上形成粒子数反转发出激光,所述全反射镜用于激光的全反输出。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进。
进一步,所述放电管由硬质玻璃制成,所述硬质玻璃硬度大,能承受较大气压,增强激光器的发射功率。
进一步,所述冷水管由硬质玻璃制成,所述硬质玻璃硬度大,能承受较大水压,有利于激光器中水循环,加速工作气体的冷却。
进一步,所述回气管上设置有换气口,用于气体在放电管中循环流动,实现气体随时交换。
本实用新型的有益效果是:结构简单,具有较好的方向性、单色性和较好的频率稳定性,发射功率大、抗干扰能力强。
附图说明
图1为本实用新型一种半导体气体激光器结构示意图;
附图中,各标号所代表的部件列表如下:1、壳体,2、阴极端,3、冷水管,4、第一反射镜,5、储气管,6、第二反射镜,7、回气管,8、进水口,9、出水口,10、放电管,11、阳极端,12、换气口,13、全反射镜。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示,一种半导体气体激光器,包括壳体1、设置在壳体1内的放电管10以及设置在壳体1两端的阳极端11、阴极端2,所述放电管10分别与阳极端11、阴极端2连接,所述放电管10上侧设置有第一反射镜4、第二反射镜6、全反射镜13以及储气管5,所述储气管5与回气管7连通,所述放电管10下侧设置有冷水管3,所述冷水管3上设置有进水口8、出水口9。
所述第一反射镜4将红外光发射给第二反射镜6,所述第二反射镜6反射放电,放电管10中的混合气体内的氮分子由于受到电子的撞击而被激发起来。这时受到激发的氮分子便和二氧化碳分子发生碰撞,氮气分子把自己的能量传递给二氧化碳分子,二氧化碳分子从低能级跃迁到高能级上形成粒子数反转发出激光,所述全反射镜用于激光的全反输出。
所述放电管10由硬质玻璃制成,所述硬质玻璃硬度大,能承受较大气压,增强激光器的发射功率。所述冷水管3由硬质玻璃制成,所述硬质玻璃硬度大,能承受较大水压,有利于激光器中水循环,加速工作气体的冷却。所述回气管7上设置有换气口12,用于气体在放电管10中循环流动,实现气体随时交换。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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