[实用新型]一种太赫兹GaN耿氏二极管有效
| 申请号： | 201620006329.3 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN205264759U | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李亮;张瑾;陈坤;笪林荣 | 申请（专利权）人： | 扬州海科电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L47/02 | 分类号： | H01L47/02;H01L47/00 |
| 代理公司： | 北京文苑专利代理有限公司 11516 | 代理人： | 王炜 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 gan 耿氏二极管 | ||
1.一种太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，包括由下往上依次设置的阴 极(4)、n型GaN衬底(7)、n+GaN阴极欧姆接触层(1)、InAlN三维结构电子 发射层(8)、n-GaN渡越层(9)、n+GaN阳极欧姆接触层(2)、阳极(3)，还包 括设置在n型GaN衬底(7)上并包裹在所述n+GaN阴极欧姆接触层(1)、InAlN 三维结构电子发射层(8)、n-GaN渡越层(9)、n+GaN阳极欧姆接触层(2)、阳 极(3)外部的SiN钝化层(5)，所述SiN钝化层(5)的上部设置有露出所述阳 极(3)的开孔(6)。
2.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n+GaN 阴极欧姆接触层(1)的上端形成有圆形的凸台(10)，所述凸台(10)的高度 为100～200nm，直径为30～40μm。
3.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n+GaN 阴极欧姆接触层(1)的厚度为1～2μm。
4.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述InAlN 三维结构电子发射层(8)厚度为200～400nm。
5.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n-GaN 渡越层(9)的厚度为0.5～1μm。
6.根据权利要求1所述的太赫兹GaN耿氏二极管，其特征在于，所述n+GaN 阳极欧姆接触层(2)的厚度为200～500nm。
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