[实用新型]高分子无泄露双箔自粘铝箔有效

专利信息
申请号: 201620000227.0 申请日: 2016-01-01
公开(公告)号: CN205364713U 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 沈国忠 申请(专利权)人: 杭州巨力绝缘材料有限公司
主分类号: B32B15/09 分类号: B32B15/09;B32B15/20;B32B7/10;B32B7/12;B32B33/00;B32B37/12;B32B38/16
代理公司: 杭州中平专利事务所有限公司 33202 代理人: 翟中平
地址: 311106 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 高分子 泄露 铝箔
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种既具有良好的耐折性、耐疲劳性,又具有强度高、屏蔽好、无回波损耗,同时具有高可靠性自粘强度的高分子无泄露双箔自粘铝箔,属通信辅助材料制造领域。

背景技术

本申请人所有在先专利CN201489850U、名称“高强度双面自粘铝箔”,它包括铝箔,其特征是:铝箔两面与PET膜之间分别置有一层粘接胶层,PET膜(1)面上置有自粘膜。其需要提高的是:一般的铝箔在生产过程中,由于铝锭的纯度不足或含有杂质,轧辊的表面光泽度等因素而造成所轧铝箔含有微孔等缺陷,这些缺陷直接导致所包裹电缆通信信号衰减、回波损耗增大。

实用新型内容

设计目的:避免背景技术中的不足,设计一种既具有良好的耐折性、耐疲劳性,又具有强度高、屏蔽好、无回波损耗,同时具有高可靠性自粘强度的高分子无泄露双箔自粘铝箔。

设计方案:为实现上述设计目的。1、第一层铝箔和第二层铝箔之间采用PET膜复合的设计,是本实用新型的技术特征之一。这样设计的目的在于:PET是乳白色或浅黄色、高度结晶的聚合物,表面平滑有光泽。在较宽的温度范围内具有优良的物理机械性能,长期使用温度可达120℃,电绝缘性优良,甚至既使在高温高频下,其电性能仍较好,并且抗蠕变性,耐疲劳性,耐摩擦性、尺寸稳定性都很好,冲击强度是其他薄膜的3~5倍,耐折性好。本实用新型将其置于两层铝箔之间,不仅能够从根本上改善铝箔的耐折性和强度,而且由于两层铝箔通过PET膜的复合,使铝箔本身轧制过程中产生的孔隙等最大限度地被两层铝箔由于孔隙错而相互弥补,从而最大限度地避免了通信信号衰减现象的发生。2、第一层铝箔或第二层铝箔的一面或双面气隙采用纳米铝填充的设计,是本实用新型的技术特征之二。这样设计的目的在于:纳米铝的平均粒径为55nm,而铝箔轧制过程中所产生的孔隙及缝隙往往大于55nm,因而它能将铝箔轧制过程中所产生的通透或不通透的孔隙、缝隙彻底填充且不增加铝箔本身的厚度,使铝箔的屏蔽性得到了根本性的提高,避免了回波损耗现象的发生。3、采用改性PE的目的在于:它可以强力粘合线缆外护套,在外部高空作业或狭小空间作业的施工环境下,剥线钳剪断外护套PE或PVC塑料的同时,由于改性PE在电缆最后一道工序(成缆),铝箔对外护套塑料的强力附着力粘合,故铝箔同时脱落,加快施工进度和提高施工人员安全性。

技术方案:一种高分子无泄露双箔自粘铝箔,第一层铝箔和第二层铝箔一面采用胶粘剂与PET膜复合,第一层铝箔和第二层铝箔的另一面分别涂有一层改性PE胶层。

本实用新型与背景技术相比,一是耐折、耐疲劳、强度高,是背景技术的数倍;二是包裹自粘接性能好,其粘接后所形成的剥离强度是背景技术的数倍;三是铝箔面气隙采用同属性纳米铝填充,不仅大大地提高了铝箔的密实度,而且实现了用低档次铝箔制作精品高分子无泄露双箔自粘铝箔的目的,从而极大地降低了对铝箔轧制精度的要求,降低了铝箔制造成本;四是不仅绝缘强度高、屏蔽效果好、避免了回波损耗现象的发生,而且具有优秀的拉伸强度。

附图说明

图1是高分子无泄露双箔自粘铝箔的结构示意图。

图2是铝箔孔隙、缝隙填充生产线的示意图。

具体实施方式

实施例1:参照附图1和图2。一种高分子无泄露双箔自粘铝箔,第一层铝箔2和第二层铝箔5一面采用胶粘剂3和6与PET膜3复合形成一体,而第一层铝箔2和第二层铝箔5的另一面分别涂有一层改性PE胶层1和7。

所述第一层铝箔2或第二层铝箔5面为无通透气隙面,即第一层铝箔2面或第二层铝箔5一面或双面的气隙(气隙是指微小孔和缝隙,铝箔轧制过程中其本身由于杂质及轧辊本身所导致的微小透孔、缝隙)被纳米铝填充,形成无气隙面铝箔,从而使得铝箔的密实度得到了进上步提高。

其高分子无泄露双箔自粘铝箔制备方法,1)将第一层铝箔2或第二层铝箔5或第一层铝箔2和第二层铝箔5面的一面或二面分别采用同属性的纳米铝进行填充处理,使铝箔面无通透气隙;2)然后将PET膜(4)置于第一层铝箔2和第二层铝箔5面间采用胶粘剂粘接复合成一体;3)将改性PE胶涂履在第一层铝箔2和第二层铝箔5的非复合面、烘干得改性PE膜。

需要理解到的是:上述实施例虽然对本实用新型的设计思路作了比较详细的文字描述,但是这些文字描述,只是对本实用新型设计思路的简单文字描述,而不是对本实用新型设计思路的限制,任何不超出本实用新型设计思路的组合、增加或修改,均落入本实用新型的保护范围内。

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