[发明专利]一种基于磁记忆信号垂向特征分析的损伤状态识别方法有效
申请号: | 201618003452.5 | 申请日: | 2016-07-15 |
公开(公告)号: | CN113348756B | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 王长龙;陈海龙;马晓琳;王永川;李永科;朱红运;闫云斌;高喜俊 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军陆军工程大学 |
主分类号: | G01N27/82 | 分类号: | G01N27/82 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210007 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 记忆 信号 特征 分析 损伤 状态 识别 方法 | ||
1.一种基于磁记忆信号垂向特征分析的损伤状态识别方法,具体实施步骤为:
(1)利用磁梯度张量测量方法,提取磁记忆信号不变特征:总梯度模量;
磁记忆信号梯度张量描述磁场变化,
式中,G为“磁梯度张量”,Hx、Hx、Hz分别为x、y、z方向磁记忆信号磁场强度,总梯度模量是磁梯度张量的一种缩并运算,总梯度模量是不受检测方向变化影响、可反映磁场梯度的变化程度的标量,
式中Hij是磁梯度张量G矩阵中分量,i,j=x,y,z;
(2)根据总梯度模量分布特征和极值点位置确定损伤的位置和宽度;
(3)通过测量不同提离值下磁记忆信号平面分布,获得磁记忆信号垂向分布;
在损伤边界正上处提离值为H1和H2,H2>H1时测得的总梯度模量分别为和
式中,q为点磁荷电量,S为等效磁荷的埋深,H1和H2分别为不同提离值;
(4)计算相对衰减系数指标,描述损伤边界位置处总梯度模量衰减;
将H1高度测得的总梯度模量作为参考值,定义H2高度总梯度模量的相对衰减系数为β,
(5)根据相对衰减系数曲线,识别损伤类别;
根据相对衰减系数β可以求出等效磁荷的埋深S,裂纹损伤边界处总梯度模量衰减速度和幅度要远大于应力集中,
当S≈0时,判断为裂纹缺陷;当S>>0时,为应力集中缺陷。
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