[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

半导体衬底；

保护膜层，所述保护膜层形成在所述半导体衬底的表面上；

多晶半导体层，所述多晶半导体层形成在所述保护膜层上方；

第一导电区域，所述第一导电区域通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；

第二导电区域，所述第二导电区域掺杂有第二导电掺杂剂并且位于所述第一导电区域的相邻部分之间；

第一电极，所述第一电极连接到所述第一导电区域；以及

第二电极，所述第二电极连接到所述第二导电区域，

其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个包括第一结晶区域和第二结晶区域，所述第一结晶区域与所述保护膜层接触并且具有第一晶粒尺寸，所述第二结晶区域通过所述多晶半导体层的一部分的再结晶形成并且具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括设置在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间并且不掺杂有掺杂剂的势垒区域。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述势垒区域具有所述第一晶粒尺寸。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括通过和所述第二结晶区域接触的所述第一电极及所述第二电极中的每一个与所述第二结晶区域之间的界面的再结晶而形成的第三结晶区域，所述第三结晶区域具有比所述第一晶粒尺寸和所述第二晶粒尺寸小的第三晶粒尺寸。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第三结晶区域包括形成在该第三结晶区域的表面上的表面凸凹部分。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极具有包括两层或更多层的多层结构，并且包括形成在所述至少一个电极的与所述第三结晶区域接触的表面上以与所述第三结晶区域的所述表面凸凹部分对应的电极凸凹部分。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括形成在所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个上的绝缘层，

其中，所述绝缘层包括用于允许所述第一电极和所述第一导电区域彼此电连接的第一开口或者用于允许所述第二电极和所述第二导电区域彼此电连接的第二开口。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述第一电极和所述第二电极中的每一个具有分别突出到所述第一开口和所述第二开口中的突起。

9.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体衬底上形成保护膜层；

在所述保护膜层上沉积具有第一晶粒尺寸的本征多晶半导体层；

在所述多晶半导体层上形成包括第二导电掺杂剂的掺杂层；以及

通过用激光照射所述掺杂层来形成第一导电区域，使得所述多晶半导体层掺杂包括在所述掺杂层中的所述第二导电掺杂剂并且被再结晶，

其中，所述多晶半导体层的一部分通过所述激光的照射再结晶，并且所述多晶半导体层的再结晶的部分具有大于所述第一晶粒尺寸的第二晶粒尺寸。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在形成所述第一导电区域之后去除所述多晶半导体层上方的残留掺杂层。

11.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括以下步骤：通过用第一导电掺杂剂掺杂所述多晶半导体层的在所述第一导电区域的相邻部分之间的部分来形成第二导电区域，所述第一导电掺杂剂的导电类型与所述第二导电掺杂剂的导电类型相反。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第一导电区域的步骤包括使用具有比所述第一导电区域的宽度大的光点尺寸的激光来执行扫描，使得在所述第一导电区域的纵向方向上连续的光点部分地彼此交叠。