[发明专利]用于形成具有限定在其中的内部通路的构件的方法及组件有效
申请号: | 201611272957.7 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106890947B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | T·M·莫里卡;S·F·鲁特科夫斯基;S·F·辛普森;J·L·莫罗索 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | B22C9/10 | 分类号: | B22C9/10;B22C9/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 严志军;谭祐祥 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 具有 限定 中的 内部 通路 构件 方法 组件 | ||
1.一种形成具有限定在其中的内部通路的构件的方法,所述方法包括:
关于模具定位套芯,其中所述套芯包括:
由第一材料构成的中空结构,所述第一材料是金属制的,其中所述中空结构包括内部部分;和
内芯,其设置在所述中空结构内,所述内芯限定内芯截面周边,所述内芯截面周边大致接触所述中空结构的所述内部部分的全部;
将熔化状态中的构件材料引入所述模具的腔中,使得所述套芯的一部分被浸没,且使得熔化状态中的所述构件材料大致沿所述套芯的浸没部分的全部外周边接触所述第一材料;以及
冷却所述腔中的构件材料以形成所述构件,其中所述内芯截面周边限定所述构件内的内部通路的截面周边;
其中,所述第一材料与所述构件材料不同,并且所述第一材料由所述构件材料部分地吸收,使得接近所述内芯的所述中空结构的至少一部分在所述构件材料冷却之后保持完好。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括使用直接金属激光熔化(DMLM)过程、直接金属激光烧结(DMLS)过程和选择性激光烧结(SLS)过程中的至少一者形成的中空结构的所述套芯。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括由所述第一材料形成的所述中空结构的所述套芯,所述第一材料可至少部分地由镍基超级合金、钴基超级合金、铁基合金、钛基合金和铂基超级合金中的至少一者吸收。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括由二氧化硅、氧化铝和多铝红柱石中的至少一者形成的内芯的所述套芯。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了至少大约25的长度与直径比的内芯的所述套芯。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了至少大约60的长度与直径比的内芯的所述套芯。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了至少大约70的长度与直径比的内芯的所述套芯。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了至少大约80的长度与直径比的内芯的所述套芯。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了至少大约1.2的长度与端部分离距离比的内芯的所述套芯。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了至少大约3的长度与端部分离距离比的内芯的所述套芯。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了至少大约6的长度与端部分离距离比的内芯的所述套芯。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了截面的内芯的至少一部分的所述套芯,其中所述截面限定至少大约40的周长的平方与面积的比率。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了截面的内芯的至少一部分的所述套芯,其中所述截面限定至少大约80的周长的平方与面积的比率。
14.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了串联联接的多个大致线性的段的中空结构的所述套芯。
15.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述定位所述套芯包括定位包括限定了与多个弯曲段串联联接的多个大致线性的段的中空结构的所述套芯。
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