[发明专利]像素结构的制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一导电层于基板上;

形成第二导电层于所述基板上;

形成第三导电层于所述基板上，其中所述第一导电层、第二导电层和第三导电层三者间隔叠放且在垂直空间上相互覆盖; 所述第一导电层设置在第二导电层和第三导电层之间;以及

在形成所述第一导电层后，形成主动开关于像素区内，其中所述第一导电层和主动开关的漏极耦合；所述第二导电层和第一电压线耦合；所述第三导电层和第二电压线耦合；

当形成所述第一导电层时，同时形成扫描线于基板上；所述第一电压线包括上一扫描线；所述第二电压线与共通线在所述第一导电层覆盖区域内重叠设置。

2.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，当形成所述第二导电层时，同时形成像素电极于基板上。

3.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，当形成所述第三导电层时，所述第三导电层的材料是相同于所述主动开关的第一金属层或第二金属层的材料。

4.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层及第三导电层的其中至少一者是相同于所述主动开关的第一金属层的材料。

5.如权利要求1所述的像素结构的制造方法，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层及第三导电层的其中至少一者是相同于所述主动开关的第二金属层的材料。

6.如权利要求1所述像素结构的制造方法，其特征在于，所述第一导电层、第二导电层及第三导电层的其中至少一者是采用透明导电材料制成。

7.如权利要求1所述像素结构的制造方法，其特征在于，形成所述第三导电层之后，再形成第四导电层于所述第三导电层上，所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层及所述第四导电层叠放且间隔设置。

8.如权利要求7所述像素结构的制造方法，其特征在于，所述第二导电层、所述第三导电层及所述第四导电层的材料相同。

9.一种像素结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成第一导电层于基板上;

形成第二导电层于所述基板上;

形成第三导电层于所述基板上，其中所述第一导电层、第二导电层和第三导电层三者间隔叠放且在垂直空间上相互覆盖;所述第一导电层设置在第二导电层和第三导电层之间;以及在形成第一导电层后，形成主动开关于像素区内，其中所述第一导电层和主动开关的漏极耦合；所述第二导电层和第一电压线耦合；所述第三导电层和第二电压线耦合；

其中，当形成所述第一导电层时，同时形成扫描线于基板上；

其中，当形成所述第二导电层时，同时形成像素电极于基板上；

其中，当形成所述第三导电层时，所述第三导电层的材料是相同于所述主动开关的第一金属层或第二金属层的材料。

其中，在形成所述第三导电层之后，再形成第四导电层于所述第三导电层上，所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层及所述第四导电层叠放且间隔设置，所述第二导电层、所述第三导电层及所述第四导电层的材料相同；所述第一电压线包括上一扫描线；所述第二电压线与共通线在所述第一导电层覆盖区域内重叠设置。