[发明专利]一种MEMS红外光源及其制作方法

权利要求书

1.一种MEMS红外光源，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的支撑层；

位于所述支撑层背离所述衬底表面的金属电极、热偶条结构层和加热电阻层，所述加热电阻层位于所述支撑层的中心区域，所述热偶条结构位于所述加热电阻层的相对两侧，所述金属电极位于所述加热电阻层的另外的相对两侧，且所述金属电极与所述加热电阻层欧姆接触；

位于所述加热电阻层背离所述支撑层表面的隔离保护层；

位于所述隔离保护层背离所述加热电阻层表面的辐射层。

2.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述衬底包括释放空腔结构，所述释放空腔结构为位于所述衬底朝向所述支撑层表面的凹槽结构，所述凹槽结构至少与所述加热电阻层对应。

3.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述热偶条结构层在所述支撑层上的投影为蛇形结构，所述热偶条结构层包括第一热偶条结构和第二热偶条结构，所述第一热偶条结构和所述第二热偶条结构首尾相接，组成蛇形结构热电堆结构的温度传感器。

4.根据权利要求3所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述第一热偶条结构为半导体材质，所述第二热偶条结构为金属材质。

5.根据权利要求4所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述第一热偶条结构的材质为P型多晶硅或N型多晶硅；所述第二热偶条结构的材质为铝、金、铋、锑中的一种。

6.根据权利要求4所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述加热电阻层为金属材质或半导体材质。

7.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述支撑层为氧化硅层、氮化硅层、或氮化硅和氧化硅组成的多层复合膜结构。

8.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述金属电极为单层金属膜或金属复合层结构。

9.根据权利要求1所述的MEMS红外光源，其特征在于，所述辐射层为氮化钛、金黑、银黑、铂黑或者纳米硅材料中的任意一种。

10.一种MEMS红外光源制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1-9任意一项所述的红外光源，所述红外光源制作方法包括：

提供衬底；

在所述衬底的一个表面上形成支撑层；

在所述支撑层背离所述衬底的表面分别形成金属电极、热偶条结构层和加热电阻层，并在所述加热电阻层背离所述支撑层的表面形成隔离保护层；

在所述隔离保护层背离所述加热电阻层的表面形成辐射层。

11.根据权利要求10所述的MEMS红外光源制作方法，其特征在于，所述在所述支撑层背离所述衬底的表面分别形成金属电极、热偶条结构层和加热电阻层，并在所述加热电阻层背离所述支撑层的表面形成隔离保护层，具体包括：

在所述支撑层背离所述衬底的中心区域表面形成第一薄膜；

在所述第一薄膜的中心区域形成隔离保护层；

图形化所述隔离保护层和所述隔离保护层对应的第一薄膜区域，图形化后的所述隔离保护层对应的第一薄膜区域形成加热电阻层；

图形化所述第一薄膜区域上所述隔离保护层外对应的区域，形成第一热偶条结构；

在所述支撑层背离所述衬底的表面形成第二薄膜；

图形化所述第二薄膜，形成第二热偶条结构；

在所述支撑层背离所述衬底的表面形成第三薄膜；

图形化所述第三薄膜，形成金属电极。