[发明专利]一种抗蜗牛纹的封装膜及其制造方法在审
| 申请号: | 201611264526.6 | 申请日: | 2016-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN106601850A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
| 发明(设计)人: | 李伟博;余鹏;钟玲俐;唐舫成;汪加胜 | 申请(专利权)人: | 江苏鹿山光电科技有限公司;广州鹿山新材料股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 | 代理人: | 邵穗娟,汤喜友 |
| 地址: | 213230 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 蜗牛 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种抗蜗牛纹的封装膜及其制造方法,属于太阳能电池组件封装用胶膜技术领域。
背景技术
近年来,太阳能行业一直有一个难以解释的现象,由于其不寻常的外观而被专家们称作“蜗牛纹”。经过一段时间,从安装开始几个月到几年不等,太阳能组件的电池出现变色,大约一个手指粗的狭窄交错的暗线开始出现在组件的表面。蜗牛纹现象最早出现在30年前,由于近年来光伏业的广泛应用,蜗牛纹现象也已经广泛出现,来自世界各地的超过13个组件生产商正面临类似的技术障碍,虽然进行了广泛的研究,但还没有找出完美的解决办法。2013以来,国内光伏电站装机量大幅度上升,在西部电站发现部分电站短短几个月时间就大批量出现蜗牛纹,甚至尚未安装并网的电站也大量出现蜗牛纹,国内外知名组件制造企业均牵涉到其中,据最新统计数据蜗牛纹对组件功率有8-12%的衰减影响,使得目前蜗牛纹组件的使用历史不长,未来发电效率保持如何仍是一个未知数。因此光伏组件蜗牛纹的杜绝是一个亟待解决的问题,如何理想的防御蜗牛纹的出现是一个非常热门的问题。
光伏组件“蜗牛纹”从近几年的研究结果来看,主要原因是由于电池片隐裂产生后,水分进入到电池片的正面,同时在电流的促进下,电池片细栅与封装胶膜界面处形成了一种暗色物质,成分分析其为银的化合物,不同研究机构研究涉及到的元素有P、S、Cl、O、甚至N元素。总的来说产生机理为电池片中的细栅即银电极在水分、电流、温度的参与反应或诱导下与某种含P、S、Cl、O、N或其它元素的化学物质发生反应形成了蜗牛纹。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的第一个目的在于提供一种抗蜗牛纹的封装膜,通过增加金属离子钝化剂的组分,可以螯合钝化光伏电池片上的银元素,使电池片电极表面银元素失去活性,避免蜗牛纹的产生条件发生,达到封装胶膜抗蜗牛纹的目的。
实现本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到:一种抗蜗牛纹的封装膜,包括按重量份计算的以下成分:
封装膜基体材料90~110份;
金属离子钝化剂0.045~1.1份;
其中,金属离子钝化剂为脂肪族酰胺、芳香族单羧酸及其N-单取代衍生物、环酰胺类化合物、腙类化合物、脂肪族酰肼、芳香族二羧酸及其N-酰化衍生物、双酰肼衍生物、杂环化合物、受阻酚、含金属络合基团的化合物和磷酸酯类化合物中的至少一种。
作为优选,所述封装膜基体材料为EVA封装膜基体材料;其成分按重量份计包括以下:
作为优选,所述封装膜基体材料为POE封装膜基体材料;其成分按重量份计包括以下:
作为优选,所述环酰胺类化合物为巴比妥酸。
作为优选,所述脂肪族酰肼为N,N-二乙酰基己二酸二酰肼。
作为优选,所述双酰肼衍生物为双水杨酰肼。
作为优选,所述杂环化合物为密胺、苯并三氮唑或四唑类。
本发明的第二个目的在于提供一种上述抗蜗牛纹的封装膜的制造方法。
实现本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到:一种上所述的抗蜗牛纹的封装膜的制造方法,该制造方法的步骤为:将封装膜基体材料进行预混合后,加入金属离子钝化剂,在高速混料釜中混合均匀并干燥后,经流延或压延处理,得到抗蜗牛纹的封装膜。
相比现有技术,本发明的有益效果在于:
1、本发明通过在封装膜基体材料中添加金属离子钝化剂,螯合钝化银元素,使其失去化学活性,达到预防蜗牛纹出现的效果;
2、本发明选用的金属离子钝化剂,与封装膜基体材料配合度良好,制造过程中不会产生副反应,钝化效果良好。
具体实施方式
下面,结合具体实施方式,对本发明做进一步描述:
对比例与实施例中:
其中的EVA封装膜基体材料,成分按重量份计为:
其中的POE封装膜基体材料;其成分按重量份计为:
对比例1
一种EVA封装膜,其通过以下制造方法获得:
将EVA封装膜基体材料进行预混合30min后,经流延处理,制造得到厚度为0.5mm的EVA封装膜。
对比例2
一种POE封装膜,其通过以下制造方法获得:
将POE封装膜基体材料进行预混合30min后,经流延处理,制造得到厚度为0.5mm的POE封装膜。
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





