[发明专利]键值KV存储方法和装置

说明书

本发明实施例提供了一种KV存储方法和装置，涉及数据存储领域，所述方法包括：在存储目标键值KV时，存储所述目标KV中的值Value至存储型内存SCM中的不定长页面；更新主索引和映射表，所述主索引中包括已存储的KV中的Key和逻辑地址之间的映射关系；所述映射表中包括已存储的KV的逻辑地址和物理地址之间的映射关系；在满足第一合并条件时，合并不定长页面中的Value至所述SCM中的定长页面；更新所述映射表；在满足第二合并条件时，合并定长页面中的Value至固态硬盘SSD中的块页面；再次更新所述映射表；解决了现有技术中KV存储的性能较低的问题，达到了可以提高KV存储的性能的效果。

技术领域

本发明实施例涉及数据存储技术领域，特别涉及一种键值KV存储方法和装置。

背景技术

随着SCM(Storage Class Memory，存储型内存)的发展，SCM已逐渐应用于KV(KeyVlaue，键值)存储中。

在使用SCM进行存储时，可以使用SCM和SSD(Solid State Drives，固态硬盘)混合存储。而现有技术中通常将SCM作为SSD的缓存使用，因此这并未充分利用SCM的特性，现有的KV存储的性能较低。

发明内容

为了解决现有技术中KV存储的存储性能低的问题，本发明实施例提供了一种KV存储方法和装置，所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种KV存储方法，该方法包括：

在存储目标键值KV时，存储目标KV中的值Value至存储型内存SCM中的不定长页面；

更新主索引和映射表，主索引中包括已存储的KV中的Key和逻辑地址之间的映射关系；映射表中包括已存储的KV的逻辑地址和物理地址之间的映射关系；

在满足第一合并条件时，合并不定长页面中的Value至SCM中的定长页面；更新映射表；

在满足第二合并条件时，合并定长页面中的Value至固态硬盘SSD中的块页面；

再次更新映射表。

通过将目标KV中的Value存储至SCM中的不定长页面，进而在满足第一合并条件时，将不定长页面中的Value合并至SCM中的定长页面，并在满足第二合并条件时，将SCM中的定长页面中的Value合并至SSD中；也即充分使用SCM和SSD进行混合存储；解决了现有技术中KV存储的性能较低的问题，达到了可以提高KV存储的性能的效果。

在第一种可能的实现方式中，上述更新映射表的步骤可以包括：

获取目标KV的目标逻辑地址以及在不定长页面中的目标物理地址；

获取映射表中目标逻辑地址所对应的初始物理地址；

生成物理地址链，物理地址链中包括目标物理地址以及设置在目标物理地址的预设位置处的指示信息，预设位置包括目标物理地址之前或者之后的位置，指示信息用于指向初始物理地址；

将映射表中的初始物理地址更新为物理地址链。

在第二种可能的实现方式中，在满足第一合并条件时，合并不定长页面中的Value至SCM中的定长页面；更新映射表，包括：

在物理地址链满足预设条件时，将物理地址链所指向的物理地址中的Value合并至SCM中的定长页面；预设条件包括：物理地址链的长度达到预设长度，或者，物理地址链所对应的不定长页面的个数达到预设个数。

在第三种可能的实现方式中，获取映射表中目标逻辑地址所对应的初始物理地址，包括：

若映射表中不存在目标逻辑地址所对应的物理地址，则将初始物理地址确定为空。