[发明专利]开关电源及其的前馈补偿电路有效
申请号: | 201611259794.9 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108270357B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 吴克柔;王文情 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/335 | 分类号: | H02M3/335 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张润 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关电源 及其 补偿 电路 | ||
1.一种开关电源的前馈补偿电路,其特征在于,包括:
负电压识别模块,所述负电压识别模块用于根据所述开关电源的次级消磁时间对所述开关电源的反馈管脚上的电压进行负电压识别以获取与所述开关电源的初级输入线电压对应的反馈电流;
电流镜像模块,所述电流镜像模块用于根据所述反馈电流通过电流镜像以产生补偿电流,并根据所述开关电源中功率开关管的导通时间对所述补偿电流进行限制以获取限制后的补偿电流;
电流叠加模块,所述电流叠加模块用于将所述限制后的补偿电流叠加到所述开关电源的过流检测管脚上,以对所述功率开关管的电流进行前馈补偿;
所述电流镜像模块包括:
偏置电压提供单元,所述偏置电压提供单元用于根据第一基准电流提供偏置电压;
第一级电流镜像单元,所述第一级电流镜像单元用于根据所述偏置电压对所述反馈电流进行第一级电流镜像以输出所述补偿电流;
第二级电流镜像单元,所述第二级电流镜像单元用于根据所述功率开关管的导通时间对所述补偿电流进行限制以输出所述限制后的补偿电流;
第三级电流镜像单元,所述第三级电流镜像单元对所述限制后的补偿电流进行复制以将所述限制后的补偿电流输出至所述电流叠加模块。
2.如权利要求1所述的开关电源的前馈补偿电路,其特征在于,所述偏置电压提供单元包括:
第一MOS管,所述第一MOS管的漏极与所述第一基准电流的输出端相连,所述第一MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的漏极和所述第二级电流镜像单元相连;
第二MOS管,所述第二MOS管的栅极分别与所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的漏极和所述第一级电流镜像单元相连,所述第二MOS管的源极接地。
3.如权利要求2所述的开关电源的前馈补偿电路,其特征在于,所述第一级电流镜像单元包括:
第三MOS管,所述第三MOS管的栅极与所述偏置电压提供单元相连,所述第三MOS管的源极与所述开关电源的反馈管脚相连;
第四MOS管和第五MOS管,所述第四MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极相连,所述第四MOS管的栅极分别与所述负电压识别模块和所述第五MOS管的栅极相连,所述第五MOS管的源极与所述第二级电流镜像单元相连;
第六MOS管和第七MOS管,所述第六MOS管的栅极分别与所述第六MOS管的源极、所述第四MOS管的漏极和所述第七MOS管的栅极相连,所述第七MOS管的源极与所述第五MOS管的漏极相连;
第八MOS管和第九MOS管,所述第八MOS管的栅极分别与所述第八MOS管的源极、所述第六MOS管的漏极和所述第九MOS管的栅极相连,所述第九MOS管的源极与所述第七MOS管的漏极相连,所述第九MOS管的漏极与所述第八MOS管的漏极相连。
4.如权利要求3所述的开关电源的前馈补偿电路,其特征在于,所述第二级电流镜像单元包括:
第十MOS管和第十一MOS管,所述第十MOS管的漏极与所述第一级电流镜像单元相连,所述第十MOS管的栅极与所述偏置电压提供单元相连,所述第十一MOS管的漏极与所述第十MOS管的源极相连,所述第十一MOS管的栅极与所述第十MOS管的漏极相连,所述第十一MOS管的源极接地;
第一非门,所述第一非门的输入端与所述功率开关管的导通时间的输出端相连;
第十二MOS管,所述第十二MOS管的栅极与所述第一非门的输出端相连,所述第十二MOS管的源极接所述地;
第一电容,所述第一电容的一端分别与第二基准电流的输出端和所述第十二MOS管的漏极相连,所述第一电容的另一端接所述地;
第十三MOS管和第十四MOS管,所述第十三MOS管的栅极与所述第十MOS管的栅极相连,所述第十四MOS管的栅极与所述第十一MOS管的栅极相连,所述第十四MOS管的漏极与所述第十三MOS管的源极相连,所述第十四MOS管的源极接所述地;
第十五MOS管,所述第十五MOS管的栅极与所述第一电容的一端相连,所述第十五MOS管的源极与所述第十三MOS管的漏极相连,所述第十五MOS管的漏极与所述第三级电流镜像单元相连。
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