[发明专利]多层陶瓷封装及其制造工艺

权利要求书

1.一种多层陶瓷封装，包括由多层陶瓷片叠置而成的陶瓷外壳本体，其特征在于：于所述陶瓷外壳本体上形成有贯穿多层陶瓷片、且一端开口的容纳腔，所述容纳腔由形成于各所述陶瓷片上的通孔拼合而成，且沿至所述容纳腔开口的方向，所述容纳腔的内壁部分或全部呈阶梯状；

还包括覆盖于所述容纳腔呈阶梯状的内壁上，并与构成所述容纳腔的各所述陶瓷片共烧为一体的金属体，且因所述金属体的覆盖，而使得所述容纳腔的内壁成锥形。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷封装，其特征在于：所述陶瓷片的厚度为0.05-0.35mm。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷封装，其特征在于：所述多层陶瓷封装包括由上至下依次叠置的第一层陶瓷片至第十一层陶瓷片，所述容纳腔由形成于第一层陶瓷片至第九层陶瓷片上的所述通孔拼合而成。

4.根据权利要求3所述的多层陶瓷封装，其特征在于：第一层陶瓷片至第四层陶瓷片上的所述通孔呈方形，第五层陶瓷片至第九层陶瓷片上的所述通孔呈圆形，所述台阶状的容纳腔内壁由形成于第五层陶瓷片至第八层陶瓷片上的所述通孔内壁拼合形成。

5.根据权利要求4所述的多层陶瓷封装，其特征在于：于第一层陶瓷片的上表面布设有环所述开口的第一金属化区；于第十一层陶瓷片的下表面布设有间距设置的第二金属化区、第三金属化区和第四金属化区；于第十层陶瓷片的上表面形成有覆盖所述容纳腔底部的第五金属化区；于第五层陶瓷片的上表面形成有间隔布置的第六金属化区和第七金属化区。

6.根据权利要求5所述的多层陶瓷封装，其特征在于：所述第二金属化区和所述第六金属化区电连通，所述第三金属化区和所述金属体电连通，所述第四金属化区、所述第五金属化区和所述第七金属化区电连通。

7.一种如权利要求1所述的多层陶瓷封装的制造工艺，其特征在于包括以下步骤：

a、备料，准备各所述陶瓷片的生瓷片；

b、冲孔，在用以形成所述容纳腔的各所述生瓷片上冲孔，以形成所述通孔；

c、叠片，将各生瓷片叠置，使各所述通孔内壁拼合形成所述容纳腔；

d、空心金属化，使金属浆料流过呈台阶状的容纳腔内壁，且部分金属浆料留置于容纳腔内壁上的台阶上，以使容纳腔内壁成锥形；

e、层压，对叠置的各生瓷片施加压力使各层陶瓷片结合；

f、烧结，将结合的生瓷片在烧结炉内烧结形成熟瓷件。

8.根据权利要求7所述的一种多层陶瓷封装制造工艺，其特征在于：

在e步骤之前有步骤e1：将于外界压力下、可与锥形的侧周壁贴合的锥形模具放入所述容纳腔内；

在e步骤之后有步骤e2：取出所述锥形模具。

9.根据权利要求7所述的一种多层陶瓷封装制造工艺，其特征在于：

在d步骤之前有步骤d0：在形成所述容纳腔开口的生瓷片的上表面贴覆薄膜，所述薄膜覆盖除所述容纳腔开口外的其他区域；

在d步骤之后有步骤d1：去除所述薄膜。

10.根据权利要求7所述的一种多层陶瓷封装制造工艺，其特征在于：

在c步骤之前有步骤c0：在各所述生瓷片上填充金属浆料和印刷金属化区。