[发明专利]一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管

权利要求书

1.一种具有结终端延伸结构的肖特基二极管，包括：第一导电类型衬底，形成在第一导电类型半导体衬底上的第一导电类型半导体层，形成在第一导电类型半导体层边缘的第二导电类型JTE区，形成在第二导电类型JTE区上的绝缘层以及与绝缘层相邻的形成在第一导电类型半导体层以及第二导电类型JTE区之上的阳极金属层，其特征在于：所述第二导电类型JTE区上形成多个斜沟槽，所述第二导电类型JTE区围绕所述斜沟槽，靠近阳极金属层的第一个斜沟槽内填充第一导电材料，其余斜沟槽内填充第二导电材料，所述第二导电材料与所述第二导电类型JTE区形成肖特基接触；靠近所述第二导电类型JTE区处，阳极金属层与所述第一导电类型半导体层之间形成n个绝缘隔离结构，n为正整数；所述绝缘隔离结构越靠近边缘越密集。

2.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于：所述第一导电材料与阳极金属层不接触。

3.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于：所述第一导电材料与阳极金属层接触。

4.根据权利要求3所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于：所述第一导电材料为导电多晶硅。

5.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于：所述第一导电材料与所述第二导电材料相同。

6.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于：所述第一导电类型半导体层材料为SiC。

7.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于：所述绝缘层材料为二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的具有结终端延伸结构的肖特基二极管，其特征在于：所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。