[发明专利]一种芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201611256205.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106783637A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 高国华;朱桂林 | 申请（专利权）人： | 通富微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/13;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 226000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种芯片的制造方法，其特征在于，包括：
提供一超薄芯片，所述超薄芯片的功能面上具有多个电极，在所述超薄芯片的功能面上形成钝化层，所述钝化层具有与所述多个电极分别对应设置的多个第一开口；
在所述钝化层上形成掩膜层，所述掩膜层具有与所述多个第一开口分别对应设置的多个第二开口，所述第二开口大于所述第一开口；
在所述第二开口中形成导电凸点；
去除所述掩膜层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二开口中形成导电凸点的具体执行过程为：采用电镀工艺在所述第二开口中形成导电凸点。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，形成掩膜层之前，还包括：在所述钝化层上形成导电种子层；以及，去除所述掩膜层之后，还包括：去除暴露的所述导电种子层。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述导电种子层包括依次层叠形成的钛金属层和铜金属层。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述钛金属层的厚度为100nm，所述铜金属层的厚度为300～500nm。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述导电凸点包括依次层叠形成的镍金属层和焊盘，其中，所述焊盘的组成材料包括锡或锡银合金。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述镍金属层的厚度为2～3μm；所述焊盘的厚度为6～15μm。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述超薄芯片包括相对的功能面和非功能面，该制造方法还包括：采用研磨工艺对所述超薄芯片的非功能面进行研磨减薄。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：切割以形成多个芯片。
10.一种芯片，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的芯片制造方法进行制造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
