[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201611254577.0 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN106847848B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 小林实希子;山下和芳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
半导体基体;
第一浮置扩散区;
第一传输晶体管;
第二传输晶体管;
第一光电转换区,其经由所述第一传输晶体管耦合到第一浮置扩散区;
第二光电转换区,其经由所述第二传输晶体管耦合到第一浮置扩散区;
第一配线,其形成在第一配线层中,并且通过第一接触部电连接到所述半导体基体;
第二配线,其形成在第二配线层中,并且通过第二接触部电连接到所述第一配线;
第三配线,其形成在第一配线层中,并且电连接到所述第一传输晶体管的栅极;
第四配线,其形成在第一配线层中,并且电连接到所述第二传输晶体管的栅极;
第五配线,其形成在第一配线层中,并且电连接到所述第一浮置扩散区,
其中,所述第五配线的一部分布置在所述第一配线层中的第三配线和第四配线之间,并且
其中,所述第二配线与所述第五配线的所述部分重叠。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中所述第一配线沿第一方向延伸,并且其中,所述第二配线沿不同于第一方向的第二方向延伸。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,
其中,所述第一配线延伸到所述第一光电转换区和第二光电转换区之外,并且
其中,所述第二配线延伸到所述第一光电转换区和第二光电转换区之外。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
第六配线,其形成在第二配线层中,并且通过第三接触部电连接到所述第三配线;
第七配线,其形成在第二配线层中,并且通过第四接触部电连接到所述第四配线,
其中,所述第二配线的一部分布置在所述第二配线层中的第六配线和第七配线之间。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置,
其中,所述第六配线和第七配线中的每一个都沿第二方向延伸。
6.根据权利要求4所述的固态成像装置,
其中,第二配线的一部分可以防止第六配线和第七配线之间的耦合。
7.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括放大晶体管,
其中,第一浮置扩散区通过第五配线耦合到放大晶体管的栅极。
8.根据权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
第二浮置扩散区;
第三传输晶体管;
第四传输晶体管;
第三光电转换区,其经由所述第三传输晶体管耦合到第二浮置扩散区;
第四光电转换区,其经由所述第四传输晶体管耦合到第二浮置扩散区;
其中,所述第五配线电连接到所述第一浮置扩散区和第二浮置扩散区。
9.一种电子设备,包括:
光学系统;
固态成像装置,具有
半导体基体,
第一浮置扩散区;
第一传输晶体管;
第二传输晶体管;
第一光电转换区,其经由所述第一传输晶体管耦合到第一浮置扩散区;
第二光电转换区,其经由所述第二传输晶体管耦合到第一浮置扩散区;
第一配线,其形成在第一配线层中,并且通过第一接触部电连接到所述半导体基体;
第二配线,其形成在第二配线层中,并且通过第二接触部电连接到所述第一配线;
第三配线,其形成在第一配线层中,并且电连接到所述第一传输晶体管的栅极;
第四配线,其形成在第一配线层中,并且电连接到所述第二传输晶体管的栅极;
第五配线,其形成在第一配线层中,并且电连接到所述第一浮置扩散区,
其中,所述第五配线的一部分布置在所述第一配线层中的第三配线和第四配线之间,并且其中,所述第二配线与所述第五配线的一部分重叠;和
信号处理电路,用于处理由所述固态成像装置输出的信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的