[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201611254173.1 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN106935604B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 小林实希子;山下和芳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,包括:
半导体基体;
第一光敏二极管;
第二光敏二极管;
放大晶体管;
复位晶体管;
选择晶体管;
第一配线,形成在第一配线层中并且由第一接触部电连接到所述半导体基体;
第二配线,形成在第二配线层中并且由第二接触部电连接到所述第一配线;
第三配线,形成在第三配线层中并且由第三接触部电连接到所述选择晶体管;和
第四配线,形成在第四配线层中并且由第四接触部电连接到所述放大晶体管,
其中所述第一光敏二极管和所述第二光敏二极管在第一方向上排布并且共享所述放大晶体管,
其中所述第一配线在所述第一方向上延伸,并且其中所述第二配线在与所述第一方向不同的第二方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第三配线在所述第一方向上延伸。
3.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第四配线具有网孔形状。
4.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第一光敏二极管和所述第二光敏二极管共享所述放大晶体管和所述复位晶体管。
5.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第一光敏二极管和所述第二光敏二极管共享所述放大晶体管、所述复位晶体管和所述选择晶体管。
6.根据权利要求1所述的成像装置,
其中所述第二配线层形成在所述第一配线层上,
其中所述第三配线层形成在所述第二配线层上,
其中所述第四配线层形成在所述第三配线层上。
7.根据权利要求1所述的成像装置,
其中所述第一配线延伸到所述第一光敏二极管和所述第二光敏二极管之外,以及
其中所述第二配线延伸到所述第一光敏二极管和所述第二光敏二极管之外。
8.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第三配线由形成在所述第二配线层中的配线电连接到所述选择晶体管。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第四配线电连接到所述放大晶体管和所述复位晶体管。
10.根据权利要求1所述的成像装置,其中所述第四配线由形成在所述第三配线层中的配线和形成在所述第二配线层中的配线电连接到所述放大晶体管。
11.根据权利要求1所述的成像装置,还包括连接到所述复位晶体管的栅极的复位线,其中所述复位线形成在所述第二配线层中。
12.根据权利要求1所述的成像装置,还包括连接到所述选择晶体管的栅极的选择线,其中所述选择线形成在所述第二配线层中。
13.根据权利要求1所述的成像装置,还包括:
第一传输晶体管,连接到所述第一光敏二极管;
第二传输晶体管,连接到所述第二光敏二极管;
第一控制线,连接到所述第一传输晶体管的栅极;和
第二控制线,连接到所述第二传输晶体管的栅极。
14.根据权利要求13所述的成像装置,其中所述第一控制线和所述第二控制线形成在所述第二配线层中。
15.根据权利要求1所述的成像装置,
其中所述第二配线层形成在所述第一配线层上,
其中所述第三配线层形成在所述第二配线层上,
其中所述第四配线层形成在所述第三配线层上。
其中所述第三配线由形成在所述第二配线层中的第一互连电连接到所述选择晶体管,以及
其中所述第四配线由形成在所述第三配线层中的第二互连和形成在所述第二配线层中的第三互连电连接到所述放大晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的