[发明专利]应用于有机发光二极管的主体材料

说明书

本发明涉及应用于有机发光二极管的主体材料，具有式(I)所述的结构，其中，其中，R、R²独立选自氢，C1‑C4烷基取代或未取代的C1‑C4烷基，C1‑C4烷基取代或者未取代的C2‑C4烯烷基，C1‑C4烷基取代或者未取代的C2‑C4炔烷基，C6‑C10的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的芳基、芳烃基，C5‑C8的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的含有一个或者多个杂原子的杂芳基，R¹独立选自氟F，氯Cl，溴Br，碘I，氰基CN，C1‑C4的烷基；Ar为N‑芳基咔唑。实验结果表明，本发明的有机主体材料具有高玻璃化转变温度，热稳定性高，所制备的有机发光器件性能良好且稳定。

技术领域

本发明涉及新型有机发光二极管主体材料，通过真空沉积成薄膜，作为发光层材料用于有机发光二极管器件。

背景技术

近年来，有机发光二极管(OLED)作为一种有巨大应用前景的照明、显示技术，受到了学术界与产业界的广泛关注。OLED器件具有自发光、广视角、反应时间短及可制备大面积和柔性器件等特性，而且其还具有潜在的低成本优势，使其成为下一代显示、照明技术的有力竞争者。基于这些特性，OLED也被誉为21世纪明星显示产品。如今，OLED显示产品已经实现了商业化。但仍然存在效率低、寿命短等问题，有待人们进一步研究。

有机发光二极管为电致发光器件，在电压驱动下，电子和空穴分别经电子传输层和空穴传输层进入发光层复合形成激子；激子将能量传递给有发光特性的有机分子，使其受激发，激发态分子回到基态时发生辐射跃迁而发光。自1998年Forrest等人报道了电致磷光发光器件(PHOLED)以来，PHOLED因其可以利用三线态和单线态激子发光而实现100％内量子效率而备受关注。PHOLED器件通常采用多层结构，其优点在于可以方便地调节载流子注入、传输及复合等过程。在发光层中，当客体掺杂浓度较高时，会出现浓度淬灭和T₁-T₁湮灭，导致发光效率降低。为了解决这些问题，通常将客体材料掺杂在主体材料中，从而“稀释”客体材料的浓度。理想的主体材料应具有合适的前线轨道能级以实现主客体间有效地能量转移，良好的载流子传输性能以便在发光层中实现电子和空穴的平衡，和较好的热稳定性以利于形成稳定的非晶态薄膜。因此，为了获得高效PHOLED器件，开发新型主体材料尤为重要。

目前，广泛使用的主体材料为具有对称结构的4,4'-N,N'-二咔唑联苯(CBP)，就其光电性能而言基本上符合OLED对主体材料的要求，但其玻璃化转变温度较低，仅为62℃，因此CBP具有容易结晶的缺点。有机层材料一旦结晶，会使得分子间的电荷跃迁机制与正常非晶态薄膜机制不相同，能量转移方式也会发生变化。最终导致主客体间不能有效地进行能量转移，降低器件的使用寿命。非晶薄膜向晶态薄膜的转变难易程度主要受有机材料的玻璃化转变温度(T_g)影响，玻璃化转变温度越高，则薄膜的稳定性越好。因此，开发新型高玻璃化转变温度主体材料十分必要。

CBP对称的分子结构

发明内容

针对上述材料的缺陷，本发明提供一种可应用在有机电致发光器件上的高形态稳定性的有机主体材料。

应用于有机发光二极管的主体材料，具有化学式(I)的结构：

Ar为下列基团中的一个：

其中，R、R²独立选自氢，C1-C4烷基取代或未取代的C1-C4烷基，C1-C4烷基取代或者未取代的C2-C4烯烷基，C1-C4烷基取代或者未取代的C2-C4炔烷基，C6-C10的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的芳基、芳烃基，C5-C8的含有一个或者多个取代基R¹取代或未取代的含有一个或者多个杂原子的杂芳基；