[发明专利]一种低成本低功耗的低压差线性稳压器在审
申请号: | 201611251738.0 | 申请日: | 2016-12-30 |
公开(公告)号: | CN108268078A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 张智才;蒋宇俊 | 申请(专利权)人: | 聚洵半导体科技(上海)有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 低压差线性稳压器 低成本 低功耗 带隙参考电路 复杂度降低 源极连接 电源端 减小 源极 电路 芯片 | ||
本发明公开了一种低成本低功耗的低压差线性稳压器,包括晶体管PM1、PM2、PM3、NM1、PM4、NM3、NM4以及NM6构成的环路,所述晶体管PM2的源极连接于晶体管PM1的源极并接到电源端VDD。没有采用带隙参考电路,使得电路的复杂度降低,减小了芯片面积。
技术领域
本发明涉及芯片电源管理设计技术领域,具体为一种低成本低功耗的低压差线性稳压器。
背景技术
近些年来,集成电路规模越来越大,更多的功能被一个集成芯片集成在一起,不同的功能模块可能会涉及到不同的电源电压域,因此在这些大规模集成电路中,需要很多LDO(Low Dropout Voltage Regulator :低压差线性稳压器)来实现不同电压域之间的转换。那么,如何降低LDO本身的功耗以及较少其本身的面积成为了芯片设计中的重要课题。如果LDO模块在片内集成大电容,会大幅增加芯片面积 ;如果采用片外电容,则需要增加芯片的引脚。所以,无论从应用成本、复杂度还是LDO自身可靠性而言,需要设计一种无需电容就能实现自稳定的无电容型 LDO。并且因为在芯片使用中,很多情况下芯片会处于低功耗待机状态,此时也需要一个低功耗的LDO为芯片提供电压。
与传统的LDO相比,无电容型LDO因为没有补偿电容,因此在整个环路中只能有一个极点,其他极点都需要远远大于这个极点,而要使LDO本身的功耗又要求更低,这是现阶段LDO设计的难点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低成本低功耗的低压差线性稳压器,不需要补偿电容并且低功耗,解决了上述背景技术中的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种低成本低功耗的低压差线性稳压器,包括晶体管PM1、PM2、PM3、NM1、PM4、NM3、NM4以及NM6构成的环路,所述晶体管PM2的源极连接于晶体管PM1的源极并接到电源端VDD;晶体管PM2的漏极连接于晶体管PM3的源极以及运算放大器OP1的负极,运算放大器OP1的输出端接到晶体管PM3的栅极;晶体管PM3的漏极连接于晶体管NM6的漏极;晶体管NM6的源极连接于运算放大器OP2的负极,运算放大器OP2的输出端连接于晶体管NM6的栅极;晶体管NM6的源极还连接于晶体管NM4的漏极,晶体管NM4的栅极连接于晶体管PM4和晶体管NM3的栅极;晶体管NM3的源极连接于晶体管NM4的源极;晶体管NM3的漏极连接于晶体管PM4的漏极;晶体管PM4的源极与晶体管NM1的源极连接,并联级接到晶体管NM7的栅极,晶体管NM7的漏极和源极并联接地;晶体管NM1的漏极接到电源端VDD;所述晶体管PM2的栅极连接晶体管PM1的栅极并串接于晶体管PM1的漏极;晶体管PM1的漏极还连接于晶体管NM5的漏极,晶体管NM5的源极接地,晶体管NM5的栅极连接于晶体管NM8的栅极,晶体管NM8的漏极串接于晶体管NM8的栅极,并输出偏置电流IB,晶体管NM8的源极接地。
优选的,所述晶体管PM2为电流源,晶体管NM5、晶体管NM6以及晶体管PM1为电流源提供偏置电压。
优选的,所述晶体管NM4为反馈电流源。
优选的,所述晶体管NM1为功率管,由Vpg偏置,为Vout所连接的负载提供稳定电压输出,同时给负载提供大的电流输出。
优选的,所述晶体管PM4和晶体管NM3均采用二极管连接方式,为Vout提供稳定的输出电压。
与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
本低成本低功耗的低压差线性稳压器,晶体管NM1为NMOS功率管;两个cascade晶体管PM3和晶体管NM6;为提高输出电压精度而采用的两个作用在cascade管的一级辅助运算放大器OP1、OP2;晶体管PM2作为电流源以及晶体管NM4作为反馈电流源;两个采用二级管方式连接的晶体管PM4和晶体管NM3;电压保持电容的晶体管NM7,没有采用带隙参考电路,使得电路的复杂度降低,减小了芯片面积。
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