[发明专利]OLED显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201611250201.2 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106783931B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 华万鸣;何为;王湘成 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王宝筠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请公开了一种OLED显示面板及其制作方法,该面板包括:第一基板,以及位于所述第一基板表面的多个子像素;所述子像素包括位于所述第一基板表面的多个薄膜晶体管;位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板表面的第一电极层;位于所述薄膜晶体管与所述第一电极层之间的反向电场层;位于所述第一电极层背离所述第一基板表面的发光材料层;位于所述发光材料层背离所述第一基板表面的第二电极层。本发明的OLED显示面板在薄膜晶体管关闭时,相应的子像素所对应的反向电场层所产生的反向电场,会与该子像素中残余的正向电场相互作用,进而削弱甚至抵消该子像素中残余的正向电场,从而在一定程度上,解决了现有技术中子像素偷亮的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,更具体地说,涉及一种OLED显示面板及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的不断发展,显示面板的应用越来越广泛,OLED(Organic LightEmitting Diode,即有机发光二极管)显示面板以其响应速度快、色彩绚丽、轻薄方便等优点成为显示面板行业的后起之秀。
现有技术中的有机发光显示面板结构一般为:基板,设置于基板上的多个薄膜晶体管,由下而上依次设置于所述薄膜晶体管背离所述基板表面的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层、以及阴极层。其中,上述结构中的阳极层和发光材料层的图案化结构用来定义多个子像素,并通过薄膜晶体管的打开和关闭,来用于控制与其电连接的子像素的点亮和熄灭。即,在薄膜晶体管打开时,阳极层接入电源,进而使得电子和空穴在发光材料层中复合,即形成电子-空穴复合(Electron-Hole Capture),进而使发光材料层发光。薄膜晶体管关闭时,阳极层与电源断开连接,电子和空穴无法复合,使得子像素无法发光。
但是,发明人发现,采用上述结构制作出的OLED显示面板在工作过程中,往往会出现子像素偷亮的问题。即正常工作下,当某个子像素被点亮,与其相邻的其它子像素本应处于全暗的状态,但是实际情况中,往往本应全暗的子像素还会出现微微发光的情况(即偷亮),只是亮度低于被点亮的子像素。这种问题往往会影响显示面板的显示效果。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种OLED显示面板及其制作方法,在一定程度上,解决了现有技术中子像素偷亮的问题。
为实现上述技术目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
一种OLED显示面板,包括:第一基板,以及位于所述第一基板表面的多个子像素;
所述子像素包括:
位于所述第一基板表面的多个薄膜晶体管;
位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板表面的第一电极层;
位于所述薄膜晶体管与所述第一电极层之间的反向电场层;
位于所述第一电极层背离所述第一基板表面的发光材料层;
位于所述发光材料层背离所述第一基板表面的第二电极层。
优选的,在平行于所述第一电极层的平面上,所述反向电场层的面积小于所述第一电极层的面积。
优选的,所述第一电极层为阳极层,所述第二电极层为阴极层。
优选的,所述阴极层与所述反向电场层之间的电势差大于0.3V,且所述阴极层的电位高于所述反向电场层的电位。
优选的,所述阴极层与所述反向电场层之间的电势差大于0.5V。
优选的,所述阴极层与所述反向电场层之间的电势差大于1.5V。
优选的,所述反向电场层的材料为驻极体材料或铁电体材料。
优选的,所述反向电场层的材料为驻极体材料时,所述反向电场层的厚度范围小于或等于1000nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司,未经上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的