[发明专利]一种硅锗低温外延方法

权利要求书

1.一种硅锗低温外延方法，其特征在于，步骤1：将硅片进行RCA清洗，接着进行去除氧化层处理，处理后使用去离子水清洗，并通过氮气吹干得到衬垫；步骤2：将步骤1的衬垫迅速装入室腔，室腔抽至真空度为10^-5托的外延生长系统，对衬底进行加热至250℃~450℃；步骤3：将氢气和GeH₄进行高温热丝催化，然后掺加入B₂H₆一同通入到室腔内进行p-Ge的外延生长；

所述除氧化层处理包括将硅片放置于室腔内，向室腔内通入气体GeH₄和氢气5min后停止并静置10min；

所述步骤2中，先通入氢气处理10min，在氢气保护下对衬底进行加热至250℃~450℃；

所述步骤3中，分为两段连续的低温外延，第一段低温外延时衬垫温度介于320℃~450℃之间，第二段低温外延时衬垫温度介于250℃~320℃之间。

2.根据权利要求1所述的一种硅锗低温外延方法，其特征在于，所述步骤3中，采用紫外线灯对衬垫表面进行波长为150~250nm范围内的紫外光进行照射。

3.根据权利要求2所述的一种硅锗低温外延方法，其特征在于，于所述第一段低温外延时进行紫外线灯照射。