[发明专利]一种散热基板及其制备方法和应用以及电子元器件

权利要求书

1.一种散热基板，其特征在于，该散热基板包括：

金属-陶瓷复合板，所述金属-陶瓷复合板为金属层包覆陶瓷体；

在所述金属层的外表面上形成有与所述金属层成为一体的金属氧化层；以及

在所述金属氧化层的至少部分外表面上形成的导电层，所述导电层形成有导电线路，用于连结和承载芯片；

其中，所述金属氧化层通过将所述金属层直接进行氧化而形成；

所述导电层设置在所述散热基板的一侧；以及

在所述散热基板上，设置有所述导电层的一侧的金属氧化层厚度大于或等于另一侧的金属氧化层厚度，并且设置有所述导电层的一侧的金属氧化层厚度为80～300μm，另一侧的金属氧化层厚度为40～100μm；

所述陶瓷体选自SiC陶瓷体或Si陶瓷体；

所述金属氧化层与所述金属层的结合强度达到20MPa以上。

2.根据权利要求1所述的散热基板，其中，所述金属层为Al金属层、Mg金属层或Ti金属层；所述金属氧化层为氧化铝层、氧化镁层或氧化钛层；所述导电层为铜金属层或银金属层。

3.根据权利要求2所述的散热基板，其中，所述金属层的厚度为20～500μm；所述导电层的厚度为3～400μm。

4.一种制备权利要求1-3中任意一项所述的散热基板的方法，包括：将金属-陶瓷复合板直接进行金属氧化，其中，所述金属-陶瓷复合板为金属层包覆陶瓷体的复合板材；在金属层的外表面上形成与金属成为一体的金属氧化层；在所述金属氧化层的至少部分外表面上形成导电层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述金属氧化的方法包括阳极氧化或微弧氧化。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，形成所述导电层的方法包括：在所述金属氧化层上进行表面遮蔽后，喷涂导电金属得到导电线路形成所述导电层；或者，在所述金属氧化层上进行喷涂或溅射镀导电金属后，掩模蚀刻得到导电线路形成所述导电层。

7.根据权利要求4或5所述的方法，其中，形成的所述金属氧化层的厚度为5～300μm；形成的所述导电层的厚度为3～400μm。

8.一种权利要求1-3中任意一项所述的散热基板在电子元器件中的应用。

9.一种电子元器件，其特征在于，该电子元器件包括：

散热基板，所述散热基板具有导电层；以及

在所述导电层的至少部分外表面上依次层叠地形成的焊层和芯片，所述芯片与所述导电层通过导线连接；

所述散热基板为权利要求1-3中任意一项所述的散热基板。