[发明专利]外延机台腔体内多晶硅层刻蚀方法在审
| 申请号： | 201611248644.8 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106783571A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈海波 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 机台 体内 多晶 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.外延机台腔体内多晶硅层刻蚀方法，其特征在于，将氯化氢通入外延机台腔体内，使氯化氢在1170℃刻蚀多晶硅层，刻蚀时间为【8×(T-2)】秒；所述T为在所述外延机台腔体内的硅片上生长的单晶硅层厚度，且刻蚀时间最小为20秒。
2.根据权利要求1所述的外延机台腔体内多晶硅层刻蚀方法，其特征在于，所述外延机台腔体内基座后方设置有吸热装置。
3.根据权利要求2所述的外延机台腔体内多晶硅层刻蚀方法，其特征在于，所述外延机台腔体内设置有加热装置，所述的加热装置用于加热反应腔室；所述外延机台腔体具有进气口和出气口，所述外延机台腔体内设有用于承载硅片的基座，所述外延机台腔体还安装有吸热装置，所述的吸热装置位于所述基座与出气口之间。
4.根据权利要求2或3所述的外延机台腔体内多晶硅层刻蚀方法，其特征在于，所述吸热装置为碳化硅制成或者表面涂有碳化硅涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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