[发明专利]具有减少的非期望声波的传播的集成声学换能器

权利要求书

1.一种声学器件，包括：

微机械声学换能器元件(15；115；215；315；415；515)；

声学衰减区域(40；140；240；340；340；440；540)；以及

声学匹配区域(32；132；232；432；532；233；533)，被布置在所述声学换能器元件(15；115；215；315；415；515)和所述声学衰减区域(40；140；240；340；340；440；540)之间。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述声学换能器元件(15；115；215；315；415；515)被形成在第一衬底(25；125；225；325；325；425；525)中，所述第一衬底容纳定界膜(16)的腔(19)。

3.根据权利要求2所述的器件，还包括半导体材料的第二衬底(30；130；230；230；330；430；530)，所述第二衬底集成电子电路并且被布置在所述声学换能器元件(15；115；215；315；415；515)和所述声学衰减区域(40；140；240；340；340；440；540)之间。

4.根据权利要求3所述的器件，其中所述声学匹配区域(132；232；432；532)被布置在所述声学换能器元件(115；215；415；515)和所述第二衬底(130；230；430；530)之间。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述声学匹配区域(132；232)被形成在所述声学换能器元件(115；215)的所述第一衬底(125；225)中。

6.根据权利要求4所述的器件，其中所述声学匹配区域(432；532)被形成在半导体材料本体中，所述半导体材料本体被布置在所述第一衬底(425；525)和所述第二衬底(430；530)之间。

7.根据权利要求5或6所述的器件，其中所述声学匹配区域(232；532)是第一声学匹配区域，所述器件还包括被布置在所述第二衬底(30)和所述声学衰减区域(240；540)之间的第二声学匹配区域(233；533)。

8.根据权利要求7所述的器件，其中所述第二声学匹配区域(233)被形成在所述第二衬底(230)中。

9.根据权利要求4所述的器件，其中所述声学匹配区域(32；233；332；532)被布置在所述第二衬底(30；230；330；530)和所述声学衰减区域(40；240；340；540)之间。

10.根据权利要求9所述的器件，其中所述声学匹配区域(32；233)被形成在所述第二衬底(30；230)中。

11.根据权利要求9所述的器件，其中所述声学匹配区域(332；533)被形成在半导体材料本体中，所述半导体材料本体被布置在所述第二衬底(330；530)和所述声学衰减区域(340；540)之间。

12.根据权利要求10所述的器件，其中所述第二声学匹配区域(533)被形成在半导体材料本体中，所述半导体材料本体被布置在所述第二衬底(530)和所述声学衰减区域(540)之间。

13.根据权利要求3-12中任一项所述的器件，其中所述第一声学匹配元件(32；132；232；432；532；233；533)包括可变的阻抗层。