[发明专利]基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统

权利要求书

1.一种基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统，其特征在于：包括控制计算机、源表、矩阵开关、测试板和辐照板；所述控制计算机分别与源表和矩阵开关相连；所述源表、矩阵开关与测试板构成测试回路；所述测试板与辐照板相连；所述源表的sense hi端口和sence lo端口与测试板形成电压测量回路；所述源表的source hi端口和source lo端口与测试板形成电流测量回路。

2.根据权利要求1所述的基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统，其特征在于：所述控制计算机通过GPIB电缆与源表和矩阵开关相连。

3.根据权利要求2所述的基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统，其特征在于：所述测试板通过多芯线或排线与辐照板相连。

4.根据权利要求3所述的基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统，其特征在于：所述矩阵开关集成两个矩阵模块形成4×16开关单元。

5.根据权利要求4所述的基于四引线法的辐射效应半导体器件伏安特性曲线测量系统，其特征在于：所述测试板连接辐照板的一端与辐照板的被测试电路管脚一一对应；所述测试板连接矩阵开关的一端与矩阵开关的开关单元一一对应；测试板和辐照板的管脚总数小于或等于矩阵开关的阵列数。