[发明专利]传感器及流量测量方法在审
申请号: | 201611247839.0 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106840297A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 陶仁义;张金龙;魏旭;李辉;于琰平 | 申请(专利权)人: | 新奥科技发展有限公司 |
主分类号: | G01F15/00 | 分类号: | G01F15/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,卢军峰 |
地址: | 065001 河北省廊坊市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 流量 测量方法 | ||
1.一种传感器,其特征在于,包括:流量测量单元(1),以及至少部分围绕所述流量测量单元(1)设置的加热装置(8)。
2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,沿着被测流体流向,在所述流量测量单元(1)的上游和下游设置所述加热装置(8)。
3.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述加热装置(8)完全围绕所述流量测量单元(1)。
4.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述加热装置(8)的长度(b)和所述流量测量单元(1)的长度(h)的比例为:1.5≤b/h≤5。
5.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述流量测量单元(1)和所述加热装置(8)之间的距离(c)的范围为0-300um。
6.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述加热装置(8)的宽度(a)的范围为1-3mm。
7.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述流量测量单元(1)和所述加热装置(8)设置在硅片载体(3)上。
8.根据权利要求7所述的传感器,其特征在于,所述硅片载体(3)还包括对应于所述流量测量单元(1)设置的第一镂空区域(5)和/或对应于所述加热装置(8)设置的第二镂空区域(6)。
9.根据权利要求8所述的传感器,其特征在于,所述加热装置(8)的宽度(a)小于所述第二镂空区域(6)的宽度(d)。
10.一种流量测量方法,其特征在于,在不进行流量测量时,对流量测量单元(1)周围进行加热。
11.根据权利要求10所述的流量测量方法,其特征在于,加热结束至少300ms后再进行流量测量。
12.根据权利要求10所述的流量测量方法,其特征在于,对所述流量测量单元(1)周围不同位置同时加热;
或者,对所述流量测量单元(1)周围不同位置交替加热。
13.根据权利要求10所述的流量测量方法,其特征在于,当所测得的流量值的误差超过所述流量测量单元(1)最大允许误差时,对所述流量测量单元(1)周围进行加热。
14.根据权利要求10所述的流量测量方法,其特征在于,对所述流量测量单元(1)周围进行加热的加热装置(8)的温度与环境温度之和的范围为40℃至287℃。
15.根据权利要求10所述的流量测量方法,其特征在于,从开始加热到温度稳定的时间不大于50ms。
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