[发明专利]中子束源产生器及其滤屏有效
| 申请号： | 201611247366.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108156742B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 薛燕婉;游镇帆;杨升;叶吉田 | 申请（专利权）人： | 禾荣科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06;H05H6/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中子 产生器 及其 | ||
1.一种中子束源产生器，包括：
加速器，经由一通道连接至一铍靶材；以及
滤屏，其中该铍靶材位于该通道末端并与滤屏邻近且该铍靶材的一面紧贴该滤屏，该滤屏包含第一层，第二层及铝、氟化镁、与氟化锂的混合层，其中该第二层位于该第一层与该混合层之间且该第二层的材料进一步围绕该第一层，该混合层由1体积份氟化镁、0.25至1体积份的铝、与0.003至0.02体积份的氟化锂组成，
其中该通道与该铍靶材之间的夹角α介于0度到90度之间，该通道与滤屏法线的夹角β介于45度到90度之间，且该通道的剖面为非圆形。
2.如权利要求1所述的中子束源产生器，其中该通道投影至靶材上的图形面积大于或等于通道的剖面面积。
3.如权利要求1所述的中子束源产生器，其中该通道剖面形状为椭圆形，使通道剖面投影至靶材上的图形成一圆形或椭圆形。
4.如权利要求1所述的中子束源产生器，其中该通道剖面形状为矩形，使通道剖面投影至靶材上的图形成一方形或矩形。
5.如权利要求1所述的中子束源产生器，其中该通道投影至靶材上的图形与靶材的图形重叠。
6.如权利要求1所述的中子束源产生器，其中该加速器产生能量为19MeV至30MeV的质子束。
7.一种滤屏，包括：
第一层，第二层及铝、氟化镁、与氟化锂的混合层，其中该第二层位于该第一层与该混合层之间且该第二层的材料进一步围绕该第一层，该混合层由1体积份氟化镁、0.25至1体积份的铝、与0.003至0.02体积份的氟化锂组成。
8.如权利要求7所述的滤屏，其中：
第一层由铁组成；以及
第二层由1体积份的氟化铝、0.25至1体积份的铝、与0.013至0.02体积份的氟化锂组成。
9.如权利要求7所述的滤屏，其中该第一层的面积小于该第二层的面积，且该第二层的面积小于该混合层的面积。
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