[发明专利]一种安规陶瓷电容器介质材料及其制备方法

说明书

一种安规陶瓷电容器介质材料，其特征在于在于由下述重量配比的原料制成：BaTiO₃基熔块68~83%，BaZrO₃基熔块6~13%，SrTiO₃基熔块6~12%，CaSnO₃基熔块1.6~2.4%，MgCO₃0.4~0.8%，CuO 0.5~0.8%，ZnO 0.5~1.4%，Fe₂O₃0.3~1.0%，La₂O₃0.2~1.0%，Nb₂O₅0.2~0.7%，Sm₂O₃0.2~1.0%。本发明还提供上述安规陶瓷电容器介质材料的一种制备方法。本发明的安规陶瓷电容器介质材料介质损耗小（介质损耗小于0.1%），交流击穿场强高（交流击穿场强≥10KV/mm），可作为2F4安规陶瓷电容器的介质材料，有利于减小安规陶瓷电容器的体积，降低制造成本。

技术领域

本发明涉及陶瓷电容器的电介质，具体涉及一种安规陶瓷电容器介质材料及其制备方法。

背景技术

安规陶瓷电容器是一种强制性安全器件，主要用于产品失效时可导致电冲击危险的场合，例如用于天地线耦合电路、旁路电容器，也可作跨电源线及消火花用等。世界各国对安规陶瓷电容器质量要求十分严格，必须通过国际强制认证，如美国VL、德国VDE等认证，方可允许使用。

目前，用于生产安规陶瓷电容器的介质材料，主要存在介质损耗大、交流击穿场强低的问题。介质损耗大直接导致安规陶瓷电容器在线路中发热量大，而安规陶瓷电容器失效的主要原因是：电容器温度升高，导致晶体载流子运动加快，当温度升高到其极限温度时，载流子脱离束缚，造成晶格损坏，发生热击穿，致使安规电容器失效。而由于电介质材料的击穿场强偏低，为了使安规陶瓷电容器产品要达到其质量要求，必须增加介质芯片的厚度，从而造成安规陶瓷电容器体积大，制造成本高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种安规陶瓷电容器介质材料以及这种安规陶瓷电容器介质材料的制备方法，这种安规陶瓷电容器介质材料具有两大优势：介质损耗很小、交流击穿场强很高。采用的技术方案如下：

一种安规陶瓷电容器介质材料，其特征在于在于由下述重量配比的原料制成：BaTiO₃基熔块68~83%，BaZrO₃基熔块6~13%，SrTiO₃基熔块6~12%， CaSnO₃基熔块1.6~2.4%，MgCO₃ 0.4~0.8%，CuO 0.5~0.8%，ZnO 0.5~1.4%，Fe₂O₃ 0.3~1.0%，La₂O₃ 0.2~1.0%，Nb₂O₅ 0.2~0.7%，Sm₂O₃ 0.2~1.0%。