[发明专利]动态随机存取存储器的位线栅极结构及形成方法

权利要求书

1.一种形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，包含有：

形成一硬掩模层于一金属堆叠结构上，其中该硬掩模层是以一化学气相沉积制作工艺形成，且该化学气相沉积制作工艺先通入氮气再通入氨气。

2.如权利要求1所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该金属堆叠结构由下而上包含钛层、氮化钛层、第一氮化钨层以及钨层。

3.如权利要求2所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该金属堆叠结构包含钨硅层于该氮化钛层以及该第一氮化钨层之间。

4.如权利要求1所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该硬掩模层包含氮化层。

5.如权利要求4所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该氮化层由下至上包含堆叠的第一氮化层以及第二氮化层。

6.如权利要求5所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该第一氮化层以通入氮气的一化学气相沉积制作工艺形成，而该第二氮化层以通入氨气的一化学气相沉积制作工艺形成。

7.如权利要求6所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该第一氮化层以及该第二氮化层是以原位形成。

8.如权利要求5所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该第一氮化层的一厚度为该氮化层的一厚度的10％，而该第二氮化层的一厚度为该氮化层的该厚度的90％。

9.如权利要求2所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，还包含：

当该化学气相沉积制作工艺进行时形成一第二氮化钨层。

10.如权利要求9所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该第二氮化钨层具有的氮比例小于50％。

11.如权利要求9所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该第二氮化钨层的氮比例大于该第一氮化钨层的氮比例。

12.如权利要求9所述的形成动态随机存取存储器的位线栅极结构的方法，其中该第一氮化钨层的一厚度大于该第二氮化钨层的一厚度。

13.一种动态随机存取存储器的位线栅极结构，包含有：

金属堆叠结构由下至上包含多晶硅层、钛层、氮化钛层、第一氮化钨层、钨层以及第二氮化钨层；以及

硬掩模，设置于该金属堆叠结构上。

14.如权利要求13所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该第一氮化钨层的一厚度大于该第二氮化钨层的一厚度。

15.如权利要求13所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该第二氮化钨层的氮比例大于该第一氮化钨层的氮比例。

16.如权利要求13所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该第二氮化钨层具有的氮比例小于50％。

17.如权利要求13所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该金属堆叠结构包含钨硅层于该氮化钛层以及该第一氮化钨层之间。

18.如权利要求13所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该硬掩模层包含氮化层。

19.如权利要求18所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该氮化层由下至上包含堆叠的第一氮化层以及第二氮化层。

20.如权利要求19所述的动态随机存取存储器的位线栅极结构，其中该第一氮化层的一厚度为该氮化层的一厚度的10％，而该第二氮化层的一厚度为该氮化层的该厚度的90％。