[发明专利]一种修复硅片崩边的方法

权利要求书

1.一种修复硅片崩边的方法，其特征在于：在待修复硅片的两侧设置假片，待修复硅片位于假片中间，假片与待修复硅片在待修复硅片的厚度方向上叠置，各待修复硅片的侧边与其相邻待修复硅片的侧边对齐；

使用莫氏硬度大于7的颗粒对待修复硅片的崩边进行修复。

2.根据权利要求1所述的修复硅片崩边的方法，其特征在于：所述颗粒粒径为6~9微米，优选地，所述颗粒为碳化硅砂或金刚石颗粒。

3.根据权利要求1或2所述的修复硅片崩边的方法，其特征在于：利用喷砂机对硅片崩边进行修复，将待修复硅片置于喷砂机的加工室中，在喷砂机中添加碳化硅砂或金刚石颗粒。

4.根据权利要求3所述的修复硅片崩边的方法，其特征在于：所述喷砂机的喷枪将碳化硅砂或金刚石颗粒喷射在待修复硅片的崩边上；优选地，喷砂机的喷枪喷射方向垂直于硅片表面；优选地，喷枪以2-8MPA的压力进行喷射。

5.根据权利要求4所述的修复硅片崩边的方法，将硅片旋转另一侧边，重复以上步骤至硅片四面崩边全部修复。

6.根据权利要求1所述的修复硅片崩边的方法，其特征在于：对修复过的硅片进行清洗并烘干，接着进行再次分选，对待修复硅片进行再修复，直至无法分选出待修复硅片为止。

7.根据权利要求1所述的修复硅片崩边的方法，其特征在于：待修复硅片与假片通过一工装夹紧。

8.根据权利要求7所述的修复硅片崩边的方法，其特征在于：所述工装包括硅片放置盒、定位板和盖板，其中：

所述硅片放置盒包括一矩形底板及三个侧板，三个侧板分别设于矩形底板的三条侧边上并垂直于矩形底板的上表面设置；

所述定位板与盖板之间设置有导向定位结构，该导向定位结构的导向方向平行于定位板的厚度方向；

在使用状态下，所述盖板定位于侧板，定位板设于盖板与矩形底板之间，定位板的下表面平行于矩形底板的上表面，当待修复硅片置于硅片放置盒中时，待修复硅片位于矩形底板及定位板之间，各待修复硅片平行于矩形底板及定位板布置，各待修复硅片四条侧边中的三条侧边分别抵靠于三块侧板上，另一条侧边伸出硅片放置盒外。

9.根据权利要求8所述的修复硅片崩边的方法，其特征在于：所述导向定位结构包括导向结构及第一定位结构，其中：

所述导向结构包括导向孔和导向柱，所述导向孔开设于所述盖板上，导向柱设于定位板上，导向柱穿设于导向孔中；

所述第一定位结构包括螺纹孔和螺栓，所述螺纹孔开设于盖板上，螺栓穿设于螺纹孔中。