[发明专利]一种制备细晶粒稀土类烧结磁体用合金铸片有效

专利信息
申请号: 201611244721.2 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN108257751B 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 朱伟;杜飞;叶选涨;王谚;陈治安;钮萼;饶晓雷;胡伯平 申请(专利权)人: 北京中科三环高技术股份有限公司
主分类号: H01F1/053 分类号: H01F1/053
代理公司: 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙) 11446 代理人: 刘国伟;王月春
地址: 100190 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 制备 晶粒 稀土 烧结 磁体 合金
【权利要求书】:

1.一种制备细晶粒稀土类烧结磁体用合金铸片,具有贴辊面和自由面,其特征在于,所述合金铸片包括以R2Fe14B型化合物为主相的晶粒,沿温度梯度截面上,所述晶粒包括非柱状晶粒和柱状晶粒;

其中,纵横比为0.3~2的非柱状晶粒占所述晶粒的面积百分比≥60%,占所述晶粒的个数百分比≥75%;

纵横比≥3的柱状晶粒占所述晶粒的面积百分比≤15%,占所述晶粒的个数百分比≤10%。

2.根据权利要求1所述的合金铸片,其特征在于,所述合金铸片中包括稀土元素R,添加元素T,铁Fe和硼B;其中,所述R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Sc、Y中的一种或几种;所述T为Co、Ni、Cu、Mn、Cr、Ga、V、Ti、Al、Zr、Nb、Mo、Sn中的一种或几种。

3.根据权利要求2所述的合金铸片,其特征在于,所述合金铸片中B的质量占比为0.85%~1.1%。

4.根据权利要求1所述的合金铸片,其特征在于,沿温度梯度方向截面上,所述晶粒的等效圆直径为2.5~65μm。

5.根据权利要求4所述的合金铸片,其特征在于,所述等效圆直径为10~50μm的晶粒占所述晶粒的面积百分比≥80%;所述等效圆直径为15~45μm的晶粒占所述晶粒的个数百分比≥50%。

6.根据权利要求4所述的合金铸片,其特征在于,沿温度梯度方向截面上,所述贴辊面的100μm范围内所述晶粒的平均等效圆直径为6~25μm;所述自由面的100μm范围内所述晶粒的平均等效圆直径为35~65μm。

7.根据权利要求1所述的合金铸片,其特征在于,具有异质形核中心的晶粒面积占所述合金铸片的面积百分比≤5%。

8.根据权利要求1所述的合金铸片,其特征在于,由所述贴辊面至所述自由面,所述晶粒未呈贯穿式生长状态。

9.根据权利要求1所述的合金铸片,其特征在于,沿温度梯度方向截面上,所述晶粒内部具有一次晶轴和二次晶轴;其中,在扫描电子显微镜背散射模式下,所述一次晶轴边界富钕相呈光滑明亮曲线,所述二次晶轴边界富钕相衬度暗,呈短直线或断续形态的虚线状;所述二次晶轴基于所述一次晶轴生长而成;

所述一次晶轴短轴方向的宽度L1为1.5~3.5μm;

所述二次晶轴短轴方向的宽度L2为0.5~2μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中科三环高技术股份有限公司,未经北京中科三环高技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611244721.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top