[发明专利]一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料

权利要求书

1.一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分，其特征在于，所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成，硅纳米针垂直设置于硅衬底表面；所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料，均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。

2.按权利要求书1所述基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，其特征在于，所述硅纳米针呈上细下粗的垂直针状结构，硅纳米针的直径≤100nm、高度≥5μm，硅纳米针的填充率为50％～80％。

3.按权利要求书1所述基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，其特征在于，所述硅衬底的厚度为≥300μm。

4.按权利要求书1所述基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，其特征在于，所述基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料，在0.2THz～1.2THz的频带内对太赫兹波的吸收率≥90％，对300nm～880nm的可见光同样具有90％以上的吸收效率。