[发明专利]一种晶体的定向切割方法

说明书

本发明提供了一种晶体的定向切割方法，属于半导体晶体材料切割技术领域。定向切割方法包括以下步骤：将切割底座与圆柱形晶体平整放置并接触，在二者之间填充粘接剂；将切割底座与圆柱形晶体的上下左右均固定，静置，使二者粘结在一起；将粘接好的晶体放置在X射线定向仪上，进行晶体底面定向测试，以确定切割线及切割面晶向；将粘接好的晶体及切割底座装在多线切割机上，根据所述切割线及切割面晶向，调整切割角度，切割后就可以得出相应晶向的晶体切割片。本发明还涉及定位粘接装置，使得切割石墨底座与晶体紧密粘接在一起，避免粘接剂在凝固过程中造成切割石墨底座与晶体底面偏差，保证晶体切割后晶向偏差控制在6’以内。

技术领域

本发明涉及半导体晶体材料切割技术领域，具体涉及一种晶体的定向切割方法。

背景技术

多线切割机主要用于定向切割半导体晶体材料，切割前晶体的定位粘接是晶体材料加工过程中的一个关键步骤。由于切割后晶圆晶向的要求很高，这就需要在晶体材料加工过程中对切割前晶体定位的粘接要求就严格，以保证晶体材料在多线切割的过程中按既定的晶向进行切割。目前，在国内晶体材料的多线切割过程中采用手工粘接，产品一致性差，同时在粘接剂凝固过程中容易造成晶体与切割底座角度偏差，切割后晶片的晶向偏差大。

发明内容

本发明提出一种晶体的定向切割方法，以解决现有技术中因手工粘接造成的晶体与切割底座角度偏差，切割后晶片的晶向偏差大等问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

一种晶体的定向切割方法，基于一种晶体的定位粘接装置；晶体的定位粘接装置，包括：底板，其两端设有向上的折边，其中一个折边上设有通孔；2块侧板，分别设于底板的两侧，2块侧板的内侧上端分别设有滑槽；用于分别固定切割底座与晶体的两个旋转顶杆，包括：内杆、与内杆上部相配合旋转的外杆、与外杆下端固连的支撑片和套设在内杆下部的弹簧，弹簧位于支撑片的下方，支撑片的两端分别卡在2块侧板的滑槽内；用于固定晶体顶部的支撑托杆，设于通孔处；晶体的定向切割方法，包括以下步骤：S1、将切割底座与圆柱形晶体平整放置并接触，在二者之间填充粘接剂；S2、将切割底座与圆柱形晶体的上下左右均固定，静置，使二者粘结在一起；S3、将粘接好的晶体放置在X射线定向仪上，进行晶体底面定向测试，以确定切割线及切割面晶向；步骤S3包括：S31、先依据晶体的晶向确定主副参考边，即大边和小边；S32、根据大边和小边，测出晶体4个点的角度值，每个测试点相隔90°相邻两个测试点的角度值相差4°，找出角度值相同的两个点，该两点的连线即为切割线；S4、将粘接好的晶体及切割底座装在多线切割机上，根据所述切割线及切割面晶向，调整切割角度，切割后就可以得出相应晶向的晶体切割片。

作为本发明的进一步改进，步骤S2中，静置2小时以上。

作为本发明的进一步改进，晶体的定位粘接装置还包括：固定块，设于晶体顶部与支撑托杆之间。

作为本发明的进一步改进，一块侧板与底板固连，另一块侧板与底板活动连接。

本发明的有益效果如下：

本发明晶体的定向切割方法基于一种晶体的定位粘接装置，使得切割石墨底座与晶体紧密粘接在一起，避免粘接剂在凝固过程中造成切割石墨底座与晶体底面偏差，保证晶体切割后晶向偏差控制在6’以内。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是实施例中4H-SiC碳化硅晶体晶向的测试图；

图2是实施例中定位粘接装置的结构分解示意图；

图3是实施例中定位粘接装置的结构示意图。