[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201611241079.2 | 申请日: | 2016-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN107017174B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 岛贯好彦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金晓 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置,包括:
芯片安装部,所述芯片安装部包括第一上表面和位于所述第一上表面的相对侧的第一下表面;
半导体芯片,所述半导体芯片包括第二上表面、形成在所述第二上表面上方的电极以及位于所述第二上表面的相对侧的第二下表面,并且所述半导体芯片安装在所述第一上表面上方;
引线;
导线,所述导线将所述半导体芯片的所述电极与所述引线连接;以及
密封体,所述密封体包括第三上表面和位于所述第三上表面的相对侧的第三下表面,并且将所述半导体芯片、所述导线、所述引线的一部分和所述芯片安装部的一部分密封,
其中所述芯片安装部的所述第一下表面从所述密封体的所述第三下表面露出,
其中所述芯片安装部和所述导线包括铜,并且
其中所述半导体芯片的厚度大于所述芯片安装部的厚度与从所述半导体芯片的所述第二上表面到所述密封体的所述第三上表面的厚度之和。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述引线在平面图中在第一方向上延伸,
其中所述芯片安装部包括安装所述半导体芯片的芯片安装区域,以及在所述第一方向上从所述芯片安装区域延伸的弯曲部分,
其中所述芯片安装部的所述第一下表面从所述密封体露出,并且
其中所述弯曲部分位于所述密封体中。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述导线的一个端部连接到所述电极,并且所述导线的另一个端部连接到所述引线的一个端部,以及
其中在垂直于所述第二下表面并且从所述第二下表面朝向所述第二上表面取向的方向上,所述导线的最远离所述第二上表面的一部分位于所述半导体芯片的正上方。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述芯片安装部的厚度比所述引线的厚度薄。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中在垂直于所述第二下表面并且从所述第二下表面朝向所述第二上表面取向的方向上,所述导线的最远离所述引线的一部分位于所述引线的正上方。
6.一种半导体装置,包括:
管芯焊盘,所述管芯焊盘包括第一上表面和在平面图中位于所述第一上表面的相对侧的第一下表面,所述第一上表面包括芯片安装区域和第一弯曲部分;
半导体芯片,所述半导体芯片安装在所述芯片安装区域中并且包括第二上表面、位于所述第二上表面的相对侧的第二下表面以及形成在所述第二上表面上方的电极;
密封体,所述密封体包括第三上表面和位于所述第三上表面的相对侧的第三下表面,并且将所述半导体芯片和所述管芯焊盘的所述第一上表面密封;
引线,所述引线的一个端部位于所述密封体中,并且所述引线的另一个端部位于所述密封体以外;以及
导线,所述导线位于所述密封体中并且将所述半导体芯片的所述电极与所述引线的一个端部连接,
其中所述管芯焊盘的所述第一下表面从所述密封体的所述第三下表面露出,
其中所述第一弯曲部分位于所述密封体中,
其中所述第一弯曲部分在第一方向上从所述芯片安装区域延伸,并且
其中所述半导体芯片的厚度大于所述芯片安装区域的厚度与从所述半导体芯片的所述第二上表面到所述密封体的所述第三上表面的厚度之和。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,
其中所述引线在平面图中在所述第一方向上延伸,
其中所述管芯焊盘包括在与所述第一方向正交的第二方向上从所述芯片安装区域延伸的第二弯曲部分,
其中所述第二弯曲部分位于所述密封体中,并且
其中所述第一弯曲部分和所述第二弯曲部分被到达所述芯片安装区域的第一凹形部分分离开。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,还包括:
悬置引线,所述悬置引线在所述第二方向上从所述芯片安装区域延伸,
其中所述第二弯曲部分和所述悬置引线被到达所述芯片安装区域的第二凹形部分分离开。
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