[发明专利]前照式图像传感器的形成方法有效
| 申请号: | 201611240933.3 | 申请日: | 2016-12-29 |
| 公开(公告)号: | CN106847847B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
| 发明(设计)人: | 徐泽;赵立新 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 前照式 图像传感器 形成 方法 | ||
1.一种前照式图像传感器的形成方法,其特征在于:
形成位于器件层表面的介质层以及位于所述介质层内的多层金属层;所述多层金属层包括顶层金属层、中间层金属层和底层金属层;
对应于感光区域形成顶层辅助金属层和中间层辅助金属层;其中,顶层辅助金属层位于顶层金属层;中间辅助金属层位于中间层金属层;所述顶层辅助金属层为一整体区域,对应覆盖于所述感光区域上部;所述中间辅助金属层为多个间隔的区域,分别对应于像素单元的光电二极管区域;所述感光区域包括多个像素单元的光电二极管区域;
刻蚀位于感光区域的所述介质层至暴露出所述顶层辅助金属层,所述顶层辅助金属层作为第一停止层;
去除所述顶层辅助金属层,所述顶层辅助金属层下部的介质层作为停止层;
在去除所述顶层辅助金属层后的第一凹槽区域中,刻蚀所述介质层至暴露出所述中间辅助金属层的表面,所述中间辅助金属层作为第二停止层;
去除所述中间辅助金属层,形成第二凹槽区域;
对所述第一凹槽区域、所述第二凹槽区域、以及所述去除介质层的区域进行填充;所述填充区域的折射率低于感光区域以外的所述介质层的折射率。
2.根据权利要求1所述的前照式图像传感器的形成方法,其特征在于,刻蚀位于感光区域的介质层暴露出所述顶层辅助金属层的窗口大于所述顶层辅助金属层的范围。
3.根据权利要求1所述的前照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述介质层的刻蚀精度误差为5纳米至200纳米。
4.根据权利要求1所述的前照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述介质层为二氧化硅层、氮化硅层。
5.根据权利要求1所述的前照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述金属层的材质为铝、铜、钨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





