[发明专利]用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座，属于半导体技术领域。

背景技术

绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是近年来问世的新型半导体功率器件，具有驱动功耗小、饱和压降低、开关速度快、正向电流大、反向耐压大、体积小、安装简便等优点。

目前绝缘栅双极晶体管开发时参数评估需要对绝缘栅双极晶体管芯片进行封装，常见的封装形式有单管和模块。由于模块封装成本高且评估测试时需要特定的夹具，因此绝缘栅双极晶体管开发时对开发样品常采用单管封装形式。单管封装无法对面积较大绝缘栅双极晶体管芯片进行封装，且少量的开发样品封装所需的周期较长且封装费用较高，严重影响了绝缘栅双极晶体管的开发周期和开发成本。

绝缘栅双极晶体管的静态和动态性能评估时，只需将绝缘栅双极晶体管芯片固定在框架上就能进行测试评估，目前单管的金属框架各管脚之间在贴片和打线之后为短路的，需要完成整个封装工序后才能将各管脚开路固定。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座，通过该基座可以对绝缘栅双极晶体管芯片贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。

按照本发明提供的技术方案，所述用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入一个栅极金属引线框架、一个集电极金属引线框架和一个发射极金属引线框架，栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架从左到右依次排列；所述栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架之间保持一定的距离；所述栅极金属引线框架的部分表面、集电极金属引线框架的部分表面和发射极金属引线框架的部分表面与耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面位于同一平面上，该平面为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面；所述栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架各有部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚，栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚之间相互平行，栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。

进一步的，所述贴片平面上的集电极金属引线框架的部分表面的面积大于所需评估的绝缘栅双极晶体管芯片的面积。

进一步的，所述栅极管脚和集电极管脚之间的距离与集电极管脚和发射极管脚之间的距离相同。

本发明所述的用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座可以在绝缘栅双极晶体管产品开发期间用来对绝缘栅双极晶体管芯片直接贴片和打线后进行静态和动态性能评估，大大缩短绝缘栅双极晶体管的开发周期，降低开发成本。

附图说明

图1为本发明所述基座的结构示意图。

图2为所述栅极金属引线框架的示意图。

图3为所述集电极金属引线框架的示意图。

图4为所述发射极金属引线框架的示意图。

图5为图1的A-A剖视图。

图6为图1的B-B剖视图。

图7为图1的C-C剖视图。

图8为图1的D-D剖视图。

图9为图1的E-E剖视图。

图10为图1的F-F剖视图。

图11为本发明所述基座的一种使用状态示意图。

图12为本发明所述基座的另一种使用状态示意图。

具体实施方式

下面结合具体附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，本发明所述用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座包括一个栅极金属引线框架1、一个集电极金属引线框架2、一个发射极金属引线框架3和一个耐高温硬质绝缘固定框架4，通过一个耐高温硬质绝缘固定框架4将一个栅极金属引线框架1、一个集电极金属引线框架2和一个发射极金属引线框架3固定在一起形成一个整体的基座。

如图1所示，为了防止栅极金属引线框架1、集电极金属引线框架2和发射极金属引线框架3之间短路，栅极金属引线框架1、集电极金属引线框架2和发射极金属引线框架3之间没有直接的接触点，并且栅极金属引线框架1、集电极金属引线框架2和发射极金属引线框架3之间保持一定的距离。