[发明专利]一种利用光敏型聚酰亚胺图案化晶硅电池选择性背场制备方法

权利要求书

1.一种利用光敏型聚酰亚胺图案化晶硅电池选择性背场制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、对n型硅基片进行制绒并制备p⁺发射极，然后在n型硅基片背面采用离子注入的方式进行磷元素掺杂，形成具有浓度梯度的磷掺杂层；表层浓度较高，形成n⁺⁺掺杂层，即磷重掺杂层(101)；内层浓度较低，形成n⁺掺杂层，即磷轻掺杂层(102)；所述磷元素掺杂包括以下子步骤：

(1.1)、离子注入，磷的注入剂量为5×10¹⁴cm^-2，注入能量为40keV；

(1.2)、离子注入，磷的注入剂量为1×10¹⁶cm^-2，注入能量为25keV；

(1.3)、低温惰性气体或氮气退火，退火温度450℃，退火时间90min；

(1.4)、高温退火，退火温度为950℃，退火时间30min，退火气氛为氧气气氛；

其中n型硅基片的电阻为0.5～15Ω·cm；掺杂后，磷重掺杂层101浓度为10¹⁹～10²⁰cm^-3，方块电阻为15～25Ω/□，磷轻掺杂层102浓度为10¹⁶～10¹⁸cm^-3；

(2)、贴膜曝光显影交联，形成保护层，具体包括以下子步骤：

(2.1)、在步骤1处理后的n型硅基片背面覆盖光敏型聚酰亚胺膜，具体为：采用热压机在硅片上粘贴光敏型聚酰亚胺膜，热压温度为100℃，时间为20min；

(2.2)、在粘贴完聚酰亚胺膜的n型硅基片放在掩膜下曝光，曝光采用汞灯的i线，波长365nm；

(2.3)、采用质量浓度2.38％的四甲基氢氧化铵水溶液进行显影，去除曝光区域的聚酰亚胺，然后加热硅片，温度选择150℃，时间为30min，使光敏型聚酰亚胺发生交联，形成抗化学腐蚀且具有预先期望图案的聚酰亚胺保护层；

(3)、采用酸性溶液对步骤2处理后的硅片进行刻蚀，暴露出磷轻掺杂层(102)，所述酸性溶液为体积浓度为2％的氢氟酸水溶液；

(4)、采用质量浓度为10％的氢氧化钠碱性水溶液去除经步骤3处理后的硅片上剩余聚酰亚胺保护层，暴露出磷重掺杂层(101)，实现选择性背场的制备。

2.根据权利要求1所述利用光敏型聚酰亚胺图案化晶硅电池选择性背场制备方法，其特征在于，所述惰性气体优选氩气。