[发明专利]一种半透明的薄膜太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开一种半透明的薄膜太阳能电池，依次设置的透明衬底、透明导电膜、半导体层和背接触电极层；所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层；所述背接触电极层包括金属背接触电极；其中，所述金属背接触电极为金背接触电极、铜背接触电极和铜金合金背接触电极中一种或多种。所述半透明的薄膜太阳能电池具有较高透明度以及透光率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种半透明的薄膜太阳能电池及其制备方法。

背景技术

近年来，随着世界经济的发展和人口的增长，对清洁能源的需要越来越强烈。太阳能是一种清洁、无污染、取之不尽、用之不竭的可再生能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中，大阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。为此，人们研制和开发了太阳能电池。其中，薄膜太阳能电池具备弱光条件下仍可发电、生产过程能耗低及可大幅度降低原料和制造成本等一系列优势，已成为近年来的研究热点，其市场发展潜力巨大。

目前传统薄膜太阳能电池，例如晶硅薄膜太阳能电池，其晶硅太阳能组件，长时间应用还有PID效应，建设成本高，不透光，无法给建筑提供太阳能光源，制约了光伏组件的应用领域。由此，半透明的薄膜太阳能电池成为薄膜太阳能电池的发展方向，半透明的薄膜太阳能电池能够让可见光通过的同时，隔断对人体有害的紫外线并吸收部分可见光和近红外光来发电，可广泛应用于在汽车玻璃、楼宇玻璃、家装玻璃等领域。但是，由于半透明的薄膜太阳能器件结构和透明电极的限制，使其透明度以及透光率较低。。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种半透明的薄膜太阳能电池及其制备方法，所述半透明的薄膜太阳能电池具有较高透明度以及透光率。

未解决上述技术问题，本申请提供的技术方案是：提供一种半透明的薄膜太阳能电池，包括：依次设置的透明衬底、透明导电膜、半导体层和背接触电极层；所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层；所述背接触电极层包括金属背接触电极；其中，所述金属背接触电极为金背接触电极、铜背接触电极和铜金合金背接触电极中一种或多种。

优选的，所述透明衬底为玻璃或高分子聚合物。

优选的，所述高分子聚合物为聚酰亚胺。

优选的，所述透明导电膜为透明导电氧化物。

优选的，所述半导体层与所述透明导电膜之间和/或所述半导体层与所述背接触电极之间复合有缓冲层。

优选的，所述缓冲层为SnO₂层。

优选的，所述N型半导体层为CdS层，所述P型半导体层为CdTe层、ZnTe层和CdZnTe层中一种或多种。

优选的，所述N型半导体层厚度＜100nm。

优选的，所述N型半导体层厚度为50～100nm。

优选的，所述P型半导体层包括CdTe层和ZnTe层。

优选的，所述P型半导体层厚度＜750nm。

优选的，所述P型半导体层厚度为200～500nm。

优选的，所述半导体层表面复合有盐层。

优选的，所述盐层为NH₄Cl和ZnCl₂混合层、CuCl₂层或CdCl₂层。

优选的，所述盐层为CdCl₂层。

优选的，所述背接触电极由金背接触电极和铜背接触电极组成。

优选的，所述金背接触电极厚度为3nm～30nm。