[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一半导体元件，其具有第一正面电极和第一保护环；

第二半导体元件，其具有第二正面电极和第二保护环；

基板，其具有一并设置有所述第一半导体元件和所述第二半导体元件的布线图案；

第一引线，其与所述第一正面电极接合；

第二引线，其与所述第二正面电极接合；

第一树脂层，其覆盖所述第一保护环和所述第二保护环中的至少一个；以及

凝胶填充材料，其密封所述第一半导体元件和所述第二半导体元件、所述第一引线和所述第二引线、以及所述第一树脂层，

所述第一树脂层覆盖所述布线图案的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

第二树脂层，其覆盖所述第一正面电极与所述第一引线的第一接合部，以及所述第二正面电极与所述第二引线的第二接合部中的至少一个接合部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二树脂层的厚度比所述第一树脂层的厚度大。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂层包括聚酰亚胺。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述聚酰亚胺的玻璃化转变温度为200℃以上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一树脂层的厚度为10μm～50μm。

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二树脂层的厚度为10μm～50μm。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述凝胶填充材料包括硅凝胶。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体元件为SiC半导体元件，

所述第二半导体元件为Si半导体元件或SiC半导体元件。

10.根据权利要求1～7中任一项记载的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还具备：

壳体，其在内部空间配设有所述第一半导体元件、所述第二半导体元件、所述基板、所述第一引线、第二引线和所述第一树脂层，且在该内部空间填充有所述凝胶填充材料。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

将具有第一正面电极和第一保护环的第一半导体元件安装于基板的布线图案上的步骤；

形成覆盖所述第一保护环和所述布线图案的至少一部分的第一树脂层的步骤；

将第一引线接合到所述第一正面电极的步骤；

形成覆盖所述第一正面电极与所述第一引线的第一接合部的第二树脂层的步骤；以及

利用凝胶填充材料密封所述第一半导体元件、所述第一引线和所述第二树脂层的步骤。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二树脂层的步骤中，以比所述第一树脂层的厚度大的厚度形成所述第二树脂层。

13.根据权利要求11或12所述的制造方法，其特征在于，还具备：形成覆盖位于所述第一半导体元件的正面的边缘部的所述第一保护环并与所述第二树脂层一体或分开的第一树脂层的步骤。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一树脂层的步骤中，在将第一引线接合到所述第一半导体元件的第一正面电极之前形成所述第一树脂层。

15.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一树脂层的步骤中，利用喷墨涂布装置涂布覆盖所述保护环的树脂来形成所述第一树脂层，

在形成所述第二树脂层的步骤中，利用分配涂布装置涂布覆盖所述第一半导体元件的正面中的所述引线的接合部的树脂以形成所述第二树脂层。