[发明专利]装置封装设施及方法及利用DEHT的装置处理设备有效
申请号: | 201611233721.2 | 申请日: | 2016-12-28 |
公开(公告)号: | CN107665835B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 张健;约书亚·皮恩里斯;罗仕剑 | 申请(专利权)人: | PSK有限公司;塞米吉尔有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/56 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李柱天;王彬 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 封装 设施 方法 利用 deht 处理 设备 | ||
本发明提供一种使用DEHT的装置包装设施及方法,以及一种利用该DEHT的装置处理设备。该装置封装设施包括:安装单元,该安装单元在第一装置与第二装置之间提供DEHT,以将该第一装置及该第二装置彼此附接;处理单元,该处理单元热处理彼此附接的该第一装置及该第二装置,以移除该DEHT且将该第一装置及该第二装置彼此固定;以及转移单元,该转移单元将彼此附接的该第一装置及该第二装置自该安装单元转移至该处理单元。本发明提供的装置封装设施及方法能够通过使用DEHT替代助熔剂来减小对人体、仪器及环境的影响。
技术领域
本发明涉及使用DEHT的装置包装设施及方法及利用DEHT的装置处理设备。
背景技术
在制造诸如半导体晶片的装置时,进行用于将装置安装于诸如基板的另一装置上的封装工艺。特定而言,通过将一个晶片安装于另一晶片上的用于3D IC的3D封装技术有助于更高密度包装。因此,晶片至晶片连接愈短,即可实现线路布局的高自由度,以制造出高效能IC。
一般而言,在将一个装置安装于另一装置上时,将助熔剂用于半导体封装工艺。助熔剂可涂覆在装置之间的接触部分以便彼此粘附。
然而,助熔剂对人体有害。另外,若助熔剂保留于装置上,助熔剂可中断装置的正常操作,从而劣化装置的效能。因此,在使用助熔剂的典型半导体封装工艺中,有必要进行清洁及干燥装置的工艺,以便在将装置彼此附接且粘结之后移除保留于装置上的助熔剂。
发明内容
本发明是鉴于上述以往的结构的课题而做成,本发明的目的在于,提供一种本发明提供:装置封装设施及方法,其能够通过使用双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate,DEHT)替代助熔剂来减小对人体、仪器及环境的影响;以及利用DEHT的装置处理设备。
另外,还提供如下的装置封装设施及方法,其能够排除清洁及干燥工艺,在将助熔剂用于封装时,基本上在装置彼此粘结之后进行检查之前涉及该等工艺;以及利用DEHT的装置处理设备。
本发明的实施例提供装置封装设施,其包括:安装单元,该安装单元在第一装置与第二装置之间提供双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate,DEHT),以将第一装置及第二装置彼此附接;处理单元,该处理单元热处理彼此附接的第一装置及第二装置,以移除DEHT且将第一装置及第二装置彼此固定;以及转移单元,该转移单元将彼此附接的第一装置及第二装置自安装单元转移至处理单元。
在一些实施例中,第一装置可包括以下至少一个:焊球、半导体晶片及基板,且第二装置可包括以下至少一个:半导体及基板。
在其他实施例中,安装单元可将第一装置的突出部分浸没于DEHT中以将DEHT涂覆于该突出部分,且移动第一装置及第二装置的至少一个以允许该突出部分接触第二装置。
在甚至其他实施例中,安装单元可将DEHT涂覆于第一装置及第二装置的至少一个,且移动第一装置及第二装置的至少一个以允许第一装置及第二装置于涂布有DEHT的部分上彼此接触。
在其他实施例中,安装单元可将由DEHT形成的薄膜或微滴涂覆或分配于第一装置及第二装置的至少一个,且移动第一装置及第二装置的至少一个以允许第一装置及第二装置于涂布有DEHT的部分上彼此接触。
在进一步实施例中,安装单元可使第一装置及第二装置彼此接触,且提供DEHT至第一装置与第二装置之间的接触部分的边缘,以允许DEHT得以吸收、粘贴或芯吸于第一装置与第二装置之间的边界上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造