[发明专利]液晶显示面板和液晶显示器在审

专利信息
申请号: 201611233663.3 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN107045221A 公开(公告)日: 2017-08-15
发明(设计)人: 海博 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/13357
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 郝传鑫,熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 液晶显示器
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示领域,具体涉及一种窄边框液晶显示面板和液晶显示器。

背景技术

随着液晶显示技术的快速发展,提供更加轻薄、更窄边框的液晶显示装置已成为行业发展趋势。由于显示器厚度以及外观的限制,若要实现对其进行超薄、超窄边框设计,则需要重新对其零部件定位结构进行优化设计,使其结构更加紧凑。

请参阅图1,现有技术中的液晶显示面板包括从上到下依次设置的阵列基板11、液晶层12和彩膜基板13。无边框液晶显示器结构通常是采用GOA(Gate On Array,阵列基板栅极驱动)技术,从而省略液晶显示面板的阵列基板11短边上的栅极COF(Chip On Film,覆晶薄膜)结构14,但是阵列基板长边上的源极COF结构无法取消,由于彩膜基板11的尺寸小于阵列基板13,彩膜基板13无法遮盖阵列基板11上的源极COF结构14,需要额外的遮挡结构进行遮挡处理,因此液晶显示器长边上无法实现窄边框设计。

若将阵列基板13设置在彩膜基板11上方,则阵列基板11可以完全遮盖弯折后的所述源极COF结构14,省去了额外的遮挡结构,从而进一步实现液晶显示器的窄边框设计。但是,由于阵列基板中设置有多条金属线,当阵列基板13朝上,彩膜基板11朝下时,阵列基板11中的金属线没有彩膜基板13上的黑矩阵进行遮挡,会发生增强阵列基板的反射作用,从而降低液晶显示器的对比度。在强光下观看液晶显示器时,无法看清低亮度的画面,从而降低画质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种液晶显示面板,能够进一步缩小液晶显示器的边框,且不影响其显示对比度。

本发明的另一目的在于提供采用上述液晶显示面板的液晶显示器。

为了实现上述目的,本发明实施方式提供如下技术方案:

本发明实施例提供一种液晶显示面板,包括依次层叠设置的减反射膜、上偏光片、阵列基板、液晶层、彩膜基板和下偏光片,所述阵列基板上设置有金属走线,所述减反射膜完全遮盖所述金属走线。

其中,所述减反射膜采用氟化镁材料。

其中,所述金属走线采用铝材料,其中,所述减反射膜的厚度介于90.6-108.7nm之间。

其中,所述减反射膜的厚度介于97.8-101.4nm之间。

其中,所述金属走线采用铜材料,其中,所述减反射膜的厚度介于99.6-117.8nm之间。

其中,所述减反射膜的厚度介于105.1-108.7nm之间。

其中,所述减反射膜完全遮盖所述阵列基板的表面。

其中,还包括源极覆晶薄膜组件,所述源极覆晶薄膜组件连接于所述阵列基板之靠近所述液晶层的表面,所述源极覆晶薄膜组件在所述阵列基板上的投影包含于所述阵列基板。

其中,所述源极覆晶薄膜组件一端连接于所述阵列基板,所述源极覆晶薄膜组件弯向远离所述阵列基板方向,以使得所述源极覆晶薄膜组件在所述阵列基板上的投影包含于所述阵列基板。

本发明实施例还提供一种液晶显示器,包括背光模组和上述任意一项所述的液晶显示面板,所述背光模组设置于所述液晶显示面板之靠近所述彩膜基板的一侧。本发明实施例具有如下优点或有益效果:

本发明中将阵列基板设置于彩膜基板上方,且阵列基板远离彩膜基板的一侧设置有减反射膜,从而在减反射膜上形成的反射光与上偏光片形成的反射光经过光线的干涉相消作用,减小所述阵列基板上上偏光片反射光线,从而增大液晶显示面板的对比度,提升画面的显示质量。本发明的液晶显示器的边框可以进一步做窄,且具有较高的对比度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术液晶显示面板结构示意图。

图2为本发明一种实施方式的液晶显示面板结构示意图。

图3为铝和铜在不同波长光线下的反射率。

图4为本发明一种实施方式的液晶显示器结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。

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