[发明专利]一种高残接低硅迁移离型膜在审
| 申请号： | 201611231418.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN106739337A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张俊杰 | 申请（专利权）人： | 苏州培华电子材料有限公司 |
| 主分类号： | B32B27/08 | 分类号： | B32B27/08;B32B27/28;B32B27/36;B32B33/00 |
| 代理公司： | 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)32246 | 代理人： | 朱斌兵 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高残接低硅 迁移 离型膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种高残接低硅迁移离型膜，其特征在于：包括离型膜本体和防水层；所述离型膜本体两端设有防水层；所述离型膜本体包括PET薄膜、混合型硅油层、聚酰亚胺薄膜和不干胶层；所述PET薄膜上表面分布有聚酰亚胺薄膜；PET薄膜下表面通过不干胶层与混合型硅油相连；所述混合型硅油由无溶剂型硅油和溶剂型硅油混合而成。
2.根据权利要求1所述的高残接低硅迁移离型膜，其特征在于：所述聚酰亚胺薄膜上方还设有磨砂层。
3.根据权利要求1所述的高残接低硅迁移离型膜，其特征在于：所述PET薄膜和聚酰亚胺薄膜之间通过胶水相连。
4.根据权利要求1所述的高残接低硅迁移离型膜,其特征在于：所述混合型硅油层的厚度为0.3-0.5μm。
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