[发明专利]一种无基板半导体封装制造方法在审
申请号: | 201611227647.3 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN108242405A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 刘植;钟金旻;吕香桦;洪根刚 | 申请(专利权)人: | 冠宝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人: | 刘云贵;金卫文 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 黏着层 半导体晶粒 透光基板 无基板半导体封装 凹形模具 封装胶 移除 金属凸块 紫外光线 封装件 脆化 覆晶 附着 压合 灌注 制造 照射 | ||
一种无基板半导体封装制造方法,包含:提供半导体晶粒,其具有金属凸块。形成黏着层在透光基板,将半导体晶粒以覆晶方式附着于黏着层上。灌注封装胶在黏着层与半导体晶粒上,使用凹形模具压合封装胶,移除该凹形模具,经透光基板照射紫外光线,使该黏着层脆化,移除透光基板与该黏着层以形成封装件。
技术领域
本发明涉及一种半导体封装方法,尤其涉及一种无基板的半导体封装方法。
背景技术
请参考图1,图1揭示传统半导体封装,其具有晶粒20,晶粒20通过黏胶30附着于基板10之上,晶粒以传统打线方式(Wire bonding)或以覆晶方式(Flipchip)(图中未示)与基板10上的导电线路连接,而后通过基板10上的导电通孔40电性连接至封装焊垫50。此种传统的封装方式,不管是以打线方式或覆晶方式置放晶粒,其最后封装的厚度H1都太厚,不利于微型化的电子产品。以图1为例,最后封装厚度H1等于基板10本身的厚度H2加上封装胶厚度H3。因应微型化电子产品的需求,有必要使封装后半导体产品的厚度减小。
发明内容
一种无基板半导体封装的制造方法,包含:提供至少一个半导体晶粒,半导体晶粒的每一个接合垫上具有金属凸块。提供透光基板,其具有第一表面与第二表面。形成黏着层在透光基板的第一表面上。将半导体晶粒以覆晶方式附着于黏着层上。
提供凹形模具,并灌注封装胶至凹形模具的凹槽里。将附着有半导体晶粒的透明基板倒置,使透明基板以第二表面朝上与第一表面朝下的方式,置放入凹形模具里,使半导体晶粒没入封装胶,但露出部分等金属凸块于封装胶外。固化封装胶后,移除凹形模具。从该透光基板的第二表面上照射紫外光线,使黏着层脆化。移除透光基板与黏着层以形成封装件,其中封装件露出每一个金属凸块的顶部。
另一方法为将半导体晶粒以覆晶方式附着于黏着层上后。灌注封装胶在黏着层与半导体晶粒上。使用凹形模具压合封装胶。移除凹形模具。从透光基板的第二表面上照射紫外光线,使黏着层脆化。移除透光基板与黏着层以形成一封装件,其中封装件露出每一个金属凸块的顶部。另一方法,包含提供透光基板。形成黏着层在透光基板的第一表面上,形成金属图案层在黏着层上,其中金属图案层包含有多个金属内接垫、多个金属外接垫与多条金属联机。等半导体晶粒以覆晶方式附着于金属图案层上,使每一个金属凸块附着于每一个金属内接垫。灌注封装胶在金属图案层与半导体晶粒上。使用凹形模具压合封装胶,使封装胶定型固化封装胶后,移除凹形模具。从透光基板的第二表面上照射紫外光线,使黏着层脆化。移除透光基板与黏着层以形成封装件,其中封装件露出等金属外接垫的底部。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,附图的详细说明如下:
图1为传统半导体封装方法的示意图;
图2A为实施例中半导体晶粒置放于透明基板的示意图;
图2B为实施例中半导体晶粒浸入封装胶的示意图;
图2C为实施例中移除透明基板的示意图;
图2D为实施例中形成封装件的示意图;
图2E为实施例中分割出子封装件的示意图;
图3A为实施例中半导体晶粒置放于透明基板的示意图;
图3B为实施例中灌注封装胶的示意图;
图3C为实施例中压模封装胶的示意图;
图3D为实施例中移除凹型模具的示意图;
图3E为实施例中移除透明基板,形成封装件的示意图;
图3F为实施例中分割出子封装件的示意图;
图4A为实施例中半在透明基板上形成金属图案的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造