[发明专利]一种半导体基片的处理方法及装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体基片的处理方法，包括如下步骤：将待处理基片放置于处理腔中的承片台上，所述承片台带动所述基片旋转；向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液或氨水与水的混合溶液的蒸汽，在所述基片表面形成均匀的液体薄膜；向所述处理腔中通入臭氧，所述臭氧与所述基片表面的污染物反应，使得所述污染物从所述基片表面剥离；向所述基片表面喷射去离子水；将所述基片高速旋转进行干燥。本发明还提供一种半导体基片的处理装置。本发明可以在室温下去除基片表面的污染物，在保证污染物去除效率的同时，避免对基片表面金属的腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体基片的处理方法及装置。

背景技术

手机、电脑、电视等电子产品内部包含了大量的微电子芯片和器件。微电子芯片和器件主要是在硅、砷化镓等半导体基片上制备而成。整个芯片的制备过程包含了大量的工艺步骤，对基片表面的清洗是非常关键的工艺步骤之一。随着芯片制备工艺技术的发展，芯片和器件的尺寸降至纳米级，一些构成芯片的薄膜厚度已经是1纳米已下。芯片尺寸的下降意味着基片表面很小的有机物、颗粒、金属污染将会导致整个芯片的失效。

许多年来，基片表面有机光刻胶的去除和清洗通常是使用硫酸、过氧化氢、氢氧化氨等混和溶液。这些溶液具有非常强的反应活性，同时有具有一定的毒性。这些清洗方法虽然在芯片制备过程中广泛应用，但也存在化学药液成本较高，清洗过程步骤多且时间长、不同步骤之间需要大量的去离子水对基片进行水洗产生的清洗废液量大、废液处理难以满足环保的要求。因此需要开发一种新型清洗技术应用于现在纳米级芯片的清洗。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工艺步骤简单、成本低的半导体基片的处理方法，可在较低温度下去除基片表面污染物。

本发明的另一目的在于提供一种半导体基片的处理装置。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种半导体基片的处理方法，包括如下步骤：

将待处理基片放置于处理腔中的承片台上，所述承片台带动所述基片旋转；

向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液或氨水与水的混合溶液的蒸汽，在所述基片表面形成均匀的液体薄膜；

向所述处理腔中通入臭氧，所述臭氧与所述基片表面的污染物反应，使得所述污染物从所述基片表面剥离；

向所述基片表面喷射去离子水；

将所述基片高速旋转进行干燥。

上述方案中，所述承片台的转速为10～1000rpm。

上述方案中，所述氨水与水的混和溶液浓度体积比为1：1000～1：10000。

上述方案中，所述液体薄膜的厚度为1微米～100微米。

上述方案中，所述臭氧浓度为20～200毫克/米³。

上述方案中，在向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液之前，加热所述混合溶液。

上述方案中，在向所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液之前以及在想所述基片表面喷射氨水与水的混合溶液时，采用紫外光照射基片表面。

一种半导体基片的处理装置，所述装置包括：

承片台，所述承片台用于放置待处理的基片，并可带动所述基片旋转；

处理腔，所述承片台位于所述处理腔内，所述处理腔顶部设有处理腔上盖；

药液桶，所述药液桶上设有氨水注入口和水注入口，所述药液桶用于盛放氨水和去离子水的混合溶液；