[发明专利]一种化合物电池的汇流排装置在审
申请号: | 201611225241.1 | 申请日: | 2016-12-27 |
公开(公告)号: | CN106653911A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 王纪盛;马驰 | 申请(专利权)人: | 河北君龙新能源开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H02S40/36 |
代理公司: | 北京久维律师事务所11582 | 代理人: | 邢江峰,梁凤德 |
地址: | 054001 河北省邢台市桥东区*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化合物 电池 汇流 装置 | ||
技术领域
本发明涉及化合物电池,具体涉及一种化合物电池的汇流排装置。
背景技术
太阳能是一种永不耗尽且无污染的能源,在面对目前石化能源所面临的污染与短缺的问题时,一直是各国及各大太阳能厂致力研究开发的一项替代能源技术。由于太阳能面板(solar panel)具有光伏电池(photovoltaic cell,PV cell),使太阳能面板能直接将光能转换成电能。然而,如何更加充分地利用太阳光使其具有较佳的光电转换效率则为目前相当重要的研究课题。根据图1所示,在现有的化合物电池400上的导电栅线(gridline metal)11b的间距的宽度在120um,汇流排(bus bar)的设计是左边一个汇流排22c宽度在450um,右边一个汇流排22b宽度在450um。在已知的化合物电池400设计上假设化合物电池受光面积10mmx10mm=100mm2,在太阳下的开路电压为2.6V,短路电流14ma,光电转换效率36.4%。
发明内容
针对现有技术的上述缺陷和问题,本发明所要解决的技术问题是现有化合物电池光电转换效率不够高的问题。
为了达到上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种化合物电池的汇流排装置,包括化合物电池、导电栅线和一个汇流排,所述导电栅线位于化合物电池受光面上,所述汇流排位于化合物电池左端或右端。
上述技术方案中,所述化合物电池为三五族三结砷化镓太阳能电池。
上述技术方案中,所述三五族三结砷化镓太阳能电池尺寸为1mm、2mm、3mm、5mm、7mm、10mm。
上述技术方案中,所述导电栅线间距的宽度范围为70~195um。
上述技术方案中,所述汇流排的宽度范围在160~250um。
本发明提供的一种化合物电池的汇流排装置减少汇流排宽度及数量使得受光面尺寸加大,达到增加电流效应的化合物电池的汇流排设计方式,减少加工时间,降低发电成本,更能让化合物电池应用在各种领域之中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有化合物电池的汇流排装置的结构示意图;
图2为汇流排在左端的实施方式的结构示意图;
图3为汇流排在右端的实施方式的结构示意图。
其中图1:400、化合物电池;11b、导电栅线;22b、汇流排;22c、汇流排。
图2,200、化合物电池;11、导电栅线;22、汇流排。
图3,300、化合物电池;11a、导电栅线;22a、汇流排。
具体实施方式
下面将结合本发明的附图,对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
根据图2、图3所示,本发明提供了一种化合物电池的汇流排装置,包括化合物电池、导电栅线(gridline metal)和一个汇流排(bus bar),导电栅线位于化合物电池受光面上,汇流排位于化合物电池左端或右端。
本实施方式中,化合物电池为三五族三结砷化镓太阳能电池(Triple-junction Solar Cell),三五族三结砷化镓太阳能电池尺寸为1mm、2mm、3mm、5mm、7mm、10mm。导电栅线间距的宽度范围为70~195um,汇流排的宽度范围在160~250um。
在本发明的实施例中增加了792um的受光面积,图2化合物电池的受光面积为10.4mmx10.4mm=108.16mm2,在太阳下的开路电压为2.6V,短路电流16.64ma,光电转换效率40%,增加发电量9.9%,增加光电转换效率3.6%。
本发明利用减少光生自由电子转移至该等导电栅线的距离以及有效利用增加的受光面积的方法下,大幅降低光生自由电子与光生电洞再结合的概率,确保大部份的光生自由电子都能进入该等导电栅线内成为可利用的光电流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的