[发明专利]陶瓷电子部件

说明书

本发明涉及一种陶瓷电子部件，其具有电介质层以及电极层。电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于多个陶瓷颗粒之间的晶界相。陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡。晶界相的平均厚度为1.0nm以上并且晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。

技术领域

本发明涉及陶瓷电子部件。

背景技术

陶瓷电子部件作为小型、高性能以及高可靠性的电子部件被广泛利用，在电气设备以及电子设备中被使用的个数也上升为多数。近年来，伴随于电气设备以及电子设备的小型化以及高性能化，对于陶瓷电子部件的小型化、高性能化以及高可靠性化的要求变得越来越严苛。

相对于如此要求，在专利文献1中公开有一种层叠陶瓷电容器，其通过将钛酸钡的原料粉末的BET值和电介质陶瓷组合物的原料粉末的BET值设定为特定的关系，从而得到绝缘击穿电压等可靠性的提高。然而，现在要求进一步提高高温负荷寿命。进一步，要求高温负荷寿命的偏差也小。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-290675号公报

发明内容

本发明是鉴于这样的实际情况而完成的发明，目的在于实现高温负荷寿命的提高以及高温负荷寿命的偏差的降低，并且提供一种可靠性高的陶瓷电子部件。

解决技术问题的手段

本发明人为了解决上述技术问题而进行了探讨，其结果着眼于存在于陶瓷电子部件的电介质层中的多个陶瓷颗粒之间的晶界相的厚度。于是，发现通过将晶界相的平均厚度以及晶界相的厚度偏差σ设定为特定的范围内从而就能够提高高温负荷寿命并且能够降低高温负荷寿命的偏差，其结果能够提高可靠性，以至于完成了本发明。

本发明所涉及的陶瓷电子部件具体而言其特征为：是一种具有电介质层以及电极层的陶瓷电子部件，上述电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于上述多个陶瓷颗粒之间的晶界相，上述陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡，上述晶界相的平均厚度为1.0nm以上，并且上述晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。

上述电介质层含有钛酸钡、钇、镁、铬、钒、钙以及硅，在将上述钛酸钡的含量以BaTiO₃进行换算并将其设定为100摩尔份的情况下，优选上述钇的含量以Y₂O₃进行换算为1.0～1.5摩尔份，上述镁的含量以MgO进行换算优选为1.8～2.5摩尔份，上述铬的含量以Cr₂O₃进行换算为0.2～0.7摩尔份，上述钒的含量以V₂O₅进行换算为0.05～0.2摩尔份，上述钙的含量以CaO进行换算为0.5～2.0摩尔份，上述硅的含量以SiO₂进行换算为1.65～3.0摩尔份。

上述陶瓷颗粒的d50优选为0.47μm以下。

另外，上述电介质层含有稀土元素R以及硅，将以R₂O₃进行换算的上述R的含量除以以SiO₂进行换算的上述硅的含量得到的值为0.40以上且0.79以下。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器的截面图。

图2是表示电介质层中的陶瓷颗粒与晶界相的模式图。

图3是威布尔图(Weibull plot)的示意图。

符号说明

1.层叠陶瓷电容器

2.电介质层

3.内部电极层

4.外部电极