[发明专利]一种NAND闪存芯片的测试样本

说明书

本发明实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试样本，其中，所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。本发明实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域，用于进行不同擦写次数的测试，并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域，从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试，不仅降低了测试成本，同时又能覆盖不同擦写次数的测试，实现NAND闪存芯片的基本性能评估。

技术领域

本发明实施例涉及存储器技术，尤其涉及一种NAND闪存芯片的测试样本。

背景技术

NAND Flash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备。

针对NAND闪存的性能进行测试评估时，通常要对其进行频繁的读、写、擦操作，并且还需要进行很多组合性的测试，如分别进行500、1000、2000次擦写后再进行读操作等，因此需要构造不同的NAND测试样本。但是，由于擦写对NAND影响不可逆，且影响NAND的使用寿命，继而造成测试成本上的增加和浪费。

发明内容

本发明实施例提供一种NAND闪存芯片的测试样本，以解决NAND闪存芯片测试成本高的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种NAND闪存芯片的测试样本，其中，

所述测试样本包括多个相同的样本区域，每个样本区域包括多个相邻的数据块，所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试；

所述多个相同的样本区域中，任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。

优选的，所述多个相同的样本区域的全部数据块，与所述任意两个相邻的样本区域之间间隔的全部数据块之和，与所述测试样本的全部数据块数量相同。

本发明实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域，用于进行不同擦写次数的测试，并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域，从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试，不仅降低了测试成本，同时又能覆盖不同擦写次数的测试，实现NAND闪存芯片的基本性能评估。

附图说明

图1是本发明实施例的NAND闪存芯片的测试样本的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例的NAND闪存芯片的测试样本的示意图，在本实施例中，以测试样本中共包括1056个数据块(Block)为例进行说明，当然，本发明也适用于具有其他数量数据块的测试样本。

Block是NAND的最小擦写单位，在进行NAND性能测试时，是通过在Block上的擦、写、读操作进行的，例如分别进行500、1000、2000次擦写后再进行读操作等。