[发明专利]一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法有效

专利信息
申请号: 201611223306.9 申请日: 2016-12-27
公开(公告)号: CN106684209B 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: 马立云;彭寿;潘锦功;殷新建;蒋猛 申请(专利权)人: 成都中建材光电材料有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/05;B23K26/362;B28D5/00
代理公司: 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)51237 代理人: 李华,温黎娟
地址: 610000 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 新型 碲化镉 薄膜 太阳能电池 组件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,包括准备具有玻璃衬底/导电膜/硫化镉/碲化镉的太阳能电池基板,将太阳能电池基板竖向划分为多个宽度相等的长条形子电池,其特征在于:将每个长条形子电池通过n次的横向划分为n+1个子电池块,将每个子电池块进行串联或并联连接;所述的横向划分每次均包括刻划绝缘线和分区线,分区线位于两条绝缘线中间;

具体包括以下步骤:

(1)在玻璃衬底上沉积导电膜,对导电膜进行竖线刻划,然后在垂直于竖线的方向对导电膜进行绝缘线刻划,绝缘线以两条为一组进行刻划;

(2)在导电膜上依次沉积硫化镉和碲化镉后进行热处理,然后完成背电极沉积,之后对硫化镉、碲化镉和背电极进行竖线刻划,其刻划竖线与导电膜的刻划竖线平行,相邻的导电膜刻划竖线与硫化镉、碲化镉和背电极的刻划竖线之间的间距为50-350微米,刻划深度为除玻璃衬底、导电膜外的整个太阳能电池层,然后在垂直于竖线的方向对整个太阳能电池层进行分区线刻划从而形成子电池块,分区线位于每组绝缘线之间,刻划深度为除玻璃衬底外的整个太阳能电池层,包括导电膜;

(3)用金属条将子电池块进行互联,并引出输出端;

(4)封装。

2.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:所述竖向划分或横向划分的方法采用激光或机械刻划方法。

3.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:所述导电膜的沉积方法选自常压化学气相沉积法和溅射法中的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:所述硫化镉的沉积方法选自磁控溅射法和近空间升华法中的任一种。

5.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:所述碲化镉的沉积方法选自近空间升华法和气相输运法中的任一种。

6.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:所述热处理的方法为在碲化镉膜层表面涂覆氯化镉溶液后进行高温退火处理。

7.根据权利要求1所述的一种新型碲化镉薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于:所述的互联方法选自串联连接和并联连接中的任一种。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都中建材光电材料有限公司,未经成都中建材光电材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201611223306.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top