[发明专利]一种超快恢复二极管结构及实现方法在审
| 申请号： | 201611222276.X | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242472A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 詹小勇;黄昌民 | 申请（专利权）人： | 无锡昌德微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 王玉平 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超快恢复二极管 阴极 阳极 反向恢复软度 电子元器件 阳极金属层 阴极金属层 快速恢复 外延结构 依次叠加 穿通 硅层 保留 | ||
1.一种超快恢复二极管结构，其特征在于：包括沿左右纵向依次叠加的阳极金属层(1)、阳极P型重掺杂硅层(3)、阳极P型掺杂硅层(4)、阴极N型轻掺杂硅层(5)、N型掺杂硅层(6)、阴极N型重掺杂硅层(7)和阴极金属层(8)，阳极P型重掺杂硅层(3)内设有数个嵌入掺杂块(2)。
2.如权利要求1所述的一种超快恢复二极管结构，其特征在于：所述嵌入掺杂块(2)是从阳极P型重掺杂硅层(3)的面向阳极金属层(1)的层面嵌入阳极P型重掺杂硅层(3)内，并且所述阳极P型重掺杂硅层(3)的面向阳极金属层(1)的层面均匀的嵌入数个嵌入掺杂块(2)，嵌入掺杂块(2)为N型重掺杂硅。
3.实现权利要求1所述的一种超快恢复二极管结构的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1：在阴极N型重掺杂硅层(7)的左侧面外延生长阴极N型轻掺杂硅层(5)和N型掺杂硅层(6)；
步骤2：在阴极N型轻掺杂硅层(5)的左侧面掺入P型杂质形成阳极P型掺杂硅层(4)；
步骤3：在阳极P型掺杂硅层(4)的左侧面掺入P型重掺杂硅形成阳极P型重掺杂硅层(3)；阳极P型重掺杂硅层(3)的浓度比阳极P型掺杂硅层(4)大1-2个数量级；
步骤4：在所述阳极P型重掺杂硅层(3)的面向阳极金属层(1)的层面均匀的嵌入所述数个嵌入掺杂块(2)，嵌入掺杂块(2)为N型重掺杂硅；
步骤5：在所述阳极P型重掺杂硅层(3)的左侧面和所有所述N型重掺杂硅的左侧生长金属形成阳极金属层(1)；
步骤6：在阴极N型重掺杂硅层(7)的右侧面生长金属形成阴极金属层(8)。
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