[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201611220365.0 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN106920825B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 柳濑慈郎;松枝洋二郎;野中义弘 | 申请(专利权)人: | 天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/3233 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 518052 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
多个像素,每个像素包括有机发光元件以及用于控制供给到所述有机发光元件的电流的像素电路;
第一配线和第二配线,所述第一配线和所述第二配线将用于控制所述像素电路的第一信号供给到所述像素电路;
第三配线,所述第三配线将用于控制所述像素电路的第二信号供给到所述像素电路;以及
驱动电路,所述驱动电路配置于排列有所述多个像素的显示区域的外侧,并基于所述第一信号及所述第二信号,驱动所述多个像素中的每个像素的所述像素电路,
其中,所述多个像素排列成M行N列的矩阵图案,其中,M为大于或等于2的整数,N为大于或等于2的整数,
其中,所述第一配线、所述第二配线以及所述第三配线配置在配置有所述像素电路的区域内,所述第一配线、所述第二配线以及所述第三配线沿第一方向延伸,
其中,所述第一方向为行方向,
其中,所述第一配线及所述第二配线将所述第一信号供给到在所述M行中的一行中排列的多个像素的所述像素电路,
其中,所述第三配线配置在所述第一配线和所述第二配线之间,
其中,所述第三配线将所述第二信号供给到在所述一行中排列的所述多个像素的所述像素电路,并且
其中,所述驱动电路将所述第一信号供给到所述第一配线及所述第二配线,并将所述第二信号供给到所述第三配线。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中,所述像素电路包括设置为控制供给到所述有机发光元件的电流的驱动晶体管、以及第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管,
其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管按此顺序串联连接,
其中,所述第二晶体管和所述第三晶体管的连接点连接到所述驱动晶体管的栅极,以及
其中,所述第一配线、所述第三配线以及所述第二配线分别连接到所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极以及所述第三晶体管的栅极。
3.根据权利要求2所述的显示装置,还包括:
第一连接配线,所述第一连接配线连接所述第一晶体管的沟道区域和所述第二晶体管的沟道区域;以及
第二连接配线,所述第二连接配线连接所述第二晶体管的所述沟道区域和所述第三晶体管的沟道区域,
其中,所述第一连接配线及所述第二连接配线沿与所述第一方向交叉的第二方向配置。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一方向与所述第二方向正交。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一连接配线及所述第二连接配线包括半导体的活性层。
6.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述像素电路还包括第四晶体管、第五晶体管以及电容器,
其中,所述第四晶体管连接在第一电源线和所述驱动晶体管之间,
其中,所述有机发光元件连接在所述驱动晶体管和第二电源线之间,施加于所述第二电源线的电位比施加于所述第一电源线的电位低,
其中,所述第五晶体管连接在所述驱动晶体管和所述有机发光元件的连接点与第三电源线之间,施加于所述第三电源线的电位比施加于所述第一电源线的电位低,
其中,所述电容器连接在所述第一晶体管和所述第二晶体管的连接点与所述第四晶体管和所述驱动晶体管的连接点之间,
其中,所述第一晶体管连接在第四电源线和所述第二晶体管之间,
其中,所述第三晶体管连接在供给施加于所述驱动晶体管的栅极的电压的第五电源线与所述第二晶体管之间,
其中,所述第二配线还连接到所述第五晶体管的栅极,以及
其中,所述第三配线还连接到所述第四晶体管的栅极。
7.根据权利要求6所述的显示装置,
其中,所述电容器配置于所述第一配线和所述第三配线之间的区域中,以及
其中,所述第一电源线、所述第四电源线以及所述第五电源线沿第二方向配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的